Что такое sdram в оперативной
Synchronouse DRAM
Синхронная оперативная память (SDRAM) — это первая технология оперативной памяти со случайным доступом (DRAM) разработанная для синхронизации работы памяти с тактами работы центрального процессора с внешней шиной данных. SDRAM основана на основе стандартной DRAM и работает почти также, как стандартная DRAM, но она имеет несколько отличительных характеристик, которые и делают ее более прогрессивной:
Синхронная работа SDRAM в отличие от стандартной и асинхронной DRAMs, имеет таймер ввода данных, таким образом системный таймер, который пошагово контролирует деятельность микропроцессора, может также управлять работой SDRAM. Это означает, что контроллер памяти знает точный цикл таймера на котором запрошенные данные будут обработаны. В результате, это освобождает процессор от необходимости находится в состоянии ожидания между моментами доступа к памяти.
Общие свойства SDRAM
Банки ячеек — это ячейки памяти внтри чипа SDRAM, которые разделяются на два, независимых банка ячеек. Поскольку оба банка могут быть задействованны одновременно, непрерывный поток данных может обеспечиваться простым переключением между банками. Этот метод называется чередованием, и он позволяет снизить общее количество циклов обращения к памяти и увеличить, в результате, скорость передачи данных. пакетный режим ускорения — это техника быстрой передачи данных, при которой автоматически генерируется блок данных (серия последовательных адресов), в каждый момент, когда процессор запрашивает один адрес. Исходя из предположения о том, что адрес следующих данных, которые будут запрошенных процессором, будет следующим, по отношению к предыдущему запрошенному адресу, который обычно истиный (это такое же предсказание, которое используется в алгоритме работы кэш-памяти). Пакетный режим может применятся как при операциях чтения (из памяти), так и при операциях записи (в память).
Теперь о фразе, что SDRAM более быстрая память. Даже при том, что SDRAM основана на стандартной DRAM архитектуре, комбинация указанных выше трех характеристик позволяет получит более быстрый и более эффективный процесс передачи данных. SDRAM уже может передавать данные со скоростью вплоть до 100MHz, что почти в четыре раза быстрее работы стандартной DRAM. Это ставит SDRAM в один ряд с более дорогой SRAM (статическое ОЗУ) используемой в качестве внешней кэш-памяти.
Почему именно SDRAM?
Поскольку оперативная память компьютера хранит в себе информацию, которая требуется CPU для функционирования, время прохождения данных между CPU и памятью является критичным. Более быстрый процессор может увеличить производительность системы только, если он не попадает в состояние цикла «поторопись и подожди», в то время, как остальная часть системы борется за то, чтобы оставаться в этом состоянии. К несчастью, с тех пор, как Intel представила пятнадцать лет тому назад свой процессор x286, обычные микросхемы памяти больше не в состоянии идти в ногу с чрезвычайно возросшей производительностью процессоров.
Стандартная, асинхронная DRAM работае без управления ввода таймером, который не требовался для передачи данных вплоть до второго десятилетия развития микропроцессоров. Начиная с этого момента, в системах с более быстрыми процессорами, которые используют стандартную DRAM необходимо принудительно устанавливать состояния ожидания (временные задержки), чтобы избежать переполнения памяти.Состояние ожидания, это когда микропроцессор приостанавливает исполнение всего, что он делает, пока другие компоненты не перейдут в режим приема команд.По этой причине, новые технологии памяти внедряются не только с целью увеличения скорости обмена, но также и с целью сокращения цикла поиска и выборки данных. Перед лицом возникших требований, изготовителями микросхем памяти были представлены серии новшеств, включающие память страничного режима, статического столбца, чередующиюся память, и FPM DRAM (быстространичного режима). Когда скорости процессоров возросли до частот 100MHz и выше, разработчики систем предложили для использования небольшой высокоскоростной внешний кэш SRAM (кэш второго уровня), а также новую быстродействующую память тиа EDO (расширенный доступ к данным) и BEDO (пакетно-расширенный доступ). FPM DRAM И EDO DRAM наиболее часто применяемая памяти в современных PC, но их асинхронная электрическая схема не предназначена для скоростей более 66MHz (максимум для BEDO). К несчастью, это фактор ограничивает сегодняшние системы, на основе процессоров типа Pentium с тактовой частотой более 133MHz, частотой по шине памяти величиной в 66MHz.
Первоначально, SDRAM была предложена в качестве более дешевой по стоимщсти альтернативы для дорогой видеопамяти VRAM (Video RAM), используемой в графических подсистемах. Тем не менее, она быстро получила применение во многих приложения и стала кандидатом номер один на роль основной памяти для следующих поколений PC.
Как работает SDRAM?
SDRAM производится на основе стандартной DRAM и работает также, как стандартная DRAM — осуществляя доступ с строкам и колонкам ячеек данных. Только SDRAM объединяет свои специфичные свойства синхронного функционирования банков ячеек, и пакетной работы, для эффективного устранения состояний задержек-ожидания. Когда процессору необходимо получить данные из оперативной памяти, он может получить их в требуемый момент. Таким образом, фактическое время обработки данных непосредственно не изменилось, в отличии от увеличения эффективности выборки и передачи данных. Для того, чтобы понять как SDRAM ускоряет процесс выборки и поиска данных в памяти, представьте себе, что центральный процессор имеет посыльного, который возит тележку по зданию оперативной памяти, и каждый раз ему нужно бросать или подбирать информацию. В здании оперативной памяти клерк, отвечающий за пересылку/получение информации, обычно тратит около 60ns, чтобы обработать запрос. Посыльный знает только, сколько требуется времени, чтобы обработать запрос, после того, как он получен. Но он не знает будет ли готов клерк, когда он приедет к нему, так что обычно он отводит немного времени на случай ошибки. Он ждет, пока клерк не будет готов получить запрос. Затем он ожидает обычное время, требующееся для обработки запроса. А затем, он задерживается, чтобы проверить, что запрошенные данные загружены в его тележку, прежде, чем отвезти тележку с данными обратно центральному процессору. Предположим, с другой стороны, что каждые 10 наносекунд пресылающий клерк в здании оперативной памяти должны быть снаружи и готовым получить другой запрос или ответить на запрос, который был получен ранее. Это делает процесс более эффективным, поскольку посыльный может прибыть именно в нужное время. Обработка запроса начинается в момент его получени. Информация посылается в CPU, когда она готова.
Какие преимущества в производительности?
Время доступа (комманды по адресу до выбора данных) одинаково для всех типов памяти, как видно из таблицы выше, поскольку их внутренняя архитектура в основном одинакова. Более показательным параметром является время цикла, который показывает, насколько быстро можгут быть осуществлены два последовательных доступа в чипе. Первый цикл считывания одинаков для всех четырех типов памяти — 50ns, 60ns или 70ns. Но реальные различия можно увидеть, посмотрев как быстро осуществляется второй, третий, четвертый, и т.д. цикл считывания. Для этого мы посмотрим на время цикла. Для «-6» FPM DRAM (60ns), второй цикл может быть осуществлен за 35ns. Сравните это с «-12» SDRAM (время доступа 60ns), когда второй цикл считывания проходит за 12ns. Это в три раза быстрее, и при этом, без какой-либо значительной переделки системы!
Каково место SDRAM среди будущей памяти PC?
В настоящее время, FPM DRAM и EDO DRAM составляют большинство основного потока памяти PC, но ожидается, что SDRAM быстро станет основной альтернативой стандартной DRAM. Модернизация с FPM памяти до EDO (плюс L2-кэш) увеличивает производительность на 50%, а модернизируя с EDO до BEDO или SDRAM обеспечивает дополнительный прирост производительности еще на 50%. Все-таки, многие поставщики готовых систем видят BEDO лишь как промежуточный этап между EDO и SDRAM из-за присущих BEDO ограничений по скорости. SDRAM, которую они ожидают будет основной памятью при выборе.
Текущие потребности исходят от приложений с интенсивной графикой и требующих больших вычислений, таких, как малтимедиа, серверы, digital set-top boxex (системы для домашнего использования, совмещающие в себе телевизор, музыкальный центр, веб-броузер и т.д.), коммутаторы ATM, и другое сетевое и коммуникационное оборудование, требующие высокой пропускной способности и скоротей передачи данных. В недалеком будущем, тем не менее, промышленные эксперты прогнозируют, что SDRAM станет новым стандартом памяти в персональных компьютерах.
Следующий шаг в развитии SDRAM уже сделан, это DDR SDRAM или SDRAM II
И сделала этот шаг компания Samsung, известная как крупнейший производитель чипов памяти с маркировкой SEC. Официально о выпуске новой памяти будет объявлено в ближайшее время, но уже известны некоторые подробности. Имя новой памяти «Double Data Rate SDRAM» или просто «SDRAM II». Соль в том, что новая синхронная память может передавать данные по восходящему и падающиму уровню сигнала шины, что позволяет увеличить пропускную способность до 1.6 Гб/сек при частоте шины в 100MHz. Это позволит увеличить вдвое пропускную способность памяти по сравнению с существующей SDRAM. Заявлено, что новый чипсет VIA VP3 будет обеспечивать возможность использования новой памяти в системах.
Будте осторожны при выборе SDRAM для применения в системах на основе чипсета i440LX
Как показала практика, материнские платы, сделанные на основе последнего чипсета i440LX очень чувствительно относятся к типу применямой памяти SDRAM. Это связано с тем, что новая спецификация Intel SPD для SDRAM, определяет дополнительные требования к содержанию специальной информации о используемом модуле DIMM, которая должна находиться в маленьком по объемам и размерам элементе электронно-программируемой памяти EPROM, располагающейся на самом модуле памяти. Однако это не означает, что любой модуль SDRAM имеющий на себе EPROM, соответствует спецификации SPD, но в частности, это означает что модуль без EPROM этой спецификации точно не соответствует. Некоторые платы на базе набора i440LX требуют для работы только такие специальные модули, однако большинство существующих прекрасно функционируют и с обычными модулями SDRAM. Данный шаг Intel, по введения стандарта на модули синхронной памяти, связан, прежде всего, со стремлением обеспечить надежную работу и совместимость памяти с будущим чипсетом i440BX, который уже будет поддерживать шинную частоту в 100MHz.
Кратко об оперативной памяти: форм-факторы, частоты, тайминги
RAM — это кратковременная память вашего компьютера. Именно здесь ваш компьютер отслеживает программы и данные, которые вы используете прямо сейчас. Вы, наверное, уже знаете, что больше ОЗУ лучше, но, возможно, вы хотите установить больше ОЗУ сейчас.
Покупки для оперативной памяти могут быть запутанными, хотя. В чем разница между DDR3 и DDR4? DIMM и SO-DIMM? Есть ли разница между DRR3-1600 и PC3-12800? Важны ли задержка и время оперативной памяти?
Продолжайте читать для объяснений о различных видах RAM, как читать спецификации RAM, и как именно работает RAM.
Что такое оперативная память?
ОЗУ означает «Память с произвольным доступом». Он служит средним звеном между небольшим, сверхбыстрым кешем в вашем процессоре и большим, очень медленным хранилищем вашего жесткого диска или твердотельного накопителя (SSD). Ваша система использует оперативную память для временного хранения рабочих частей операционной системы и данных, которые ваши приложения активно используют. ОЗУ не является формой постоянного хранения.
Думайте о своем компьютере как о офисе. Жесткий диск — это шкаф в углу. Оперативная память похожа на всю офисную рабочую станцию, а кэш-память процессора — на рабочую область, где вы активно работаете с документом.
Чем больше оперативной памяти у вас есть, тем больше вещей вы можете иметь быстрый доступ в любое время. Точно так же, как большой стол может вместить на нем больше кусочков бумаги, не становясь грязным и громоздким (а также требуя больше поездок обратно в шкаф для реорганизации).
Однако, в отличие от офисного стола, ОЗУ не может выступать в качестве постоянного хранилища. Содержимое ОЗУ вашей системы теряется, как только вы выключаете питание. Потеря власти — это как чистка стола с каждого документа.
RAM обычно означает SDRAM
К сожалению, для сверхтонких и легких ноутбуков наблюдается растущая тенденция к тому, чтобы оперативная память припаивалась к материнской плате непосредственно в целях экономии места. Тем не менее, это жертвует модернизацией и ремонтопригодностью.
Форм-факторы оперативной памяти
По большей части оперативная память бывает двух размеров: DIMM (Dual In-Line Memory Module), который используется в настольных ПК и серверах, и SO-DIMM (Small Outline DIMM), который используется в ноутбуках и других компьютерах малого форм-фактора.
Хотя оба форм-фактора ОЗУ используют одну и ту же технологию и работают одинаково, вы не можете смешивать их. Вы не можете просто вставить DIMM-флешку в слот SO-DIMM, и наоборот (контакты и слоты не совпадают!).
Когда вы покупаете RAM, первое, что нужно понять, это ее форм-фактор. Ничто не имеет значения, если палка не подходит!
Что означает DDR?
Оперативная память, используемая на вашем компьютере, работает с использованием двойной скорости передачи данных (DDR). Оперативная память DDR означает, что две передачи происходят за такт. Новые типы ОЗУ являются обновленными версиями той же технологии, поэтому модули ОЗУ имеют метки DDR, DDR2, DDR3 и т.д.
DDR2
DDR2 — это самый старый вид оперативной памяти, с которым вы можете столкнуться сегодня. Он имеет 240 контактов (200 для SO-DIMM). DDR2 был хорошо и действительно заменен, но вы все равно можете купить его в ограниченном количестве, чтобы обновить старые машины. В противном случае DDR2 устареет.
DDR3
DDR3 был выпущен еще в 2007 году. Хотя он был официально заменен DDR4 в 2014 году, вы все равно найдете множество систем, использующих более старый стандарт RAM. Зачем? Потому что только в 2016 году (два года после запуска DDR4) системы с поддержкой DDR4 действительно набирали обороты. Кроме того, оперативная память DDR3 охватывает огромный диапазон процессоров: от сокета Intel LGA1366 до LGA1151, а также AMD AM3/AM3 + и FM1/2/2+. (Для Intel это от введения линейки Intel Core i7 в 2008 году до 7- го поколения Kaby Lake!)
Оперативная память DDR3 имеет такое же количество контактов, что и DDR2. Тем не менее, он работает с более низким напряжением и имеет более высокие тайминги (больше на таймингах оперативной памяти в данный момент), поэтому не совместимы. Кроме того, модули DDR3 SO-DIMM имеют 204 контакта по сравнению с 200 контактами DDR2.
DDR4
DDR4 появился на рынке в 2014 году, но еще не полностью контролировал рынок оперативной памяти. Длительный период исключительно высоких цен на оперативную память приостановил модернизацию многих пользователей. Но по мере снижения цен все больше людей переключаются, тем более что последние поколения процессоров AMD и Intel используют исключительно оперативную память DDR4. Это означает, что если вы хотите перейти на более мощный процессор, вам нужна новая материнская плата и новая оперативная память.
DDR4 еще больше понижает напряжение ОЗУ, с 1,5 В до 1,2 В, увеличивая число контактов до 288.
DDR5
DDR5 должен выйти на потребительские рынки в 2019 году. Но учитывая, сколько времени обычно занимает распространение нового поколения RAM, ожидайте услышать больше об этом в 2020 году. Производитель RAM, SK Hynix, ожидает, что DDR5 будет занимать 25% рынка в 2020 г. и 44% в 2021 г.
DDR5 продолжит дизайн с 288-контактным разъемом, хотя напряжение ОЗУ упадет до 1,1 В. Ожидается, что производительность оперативной памяти DDR5 удвоит самый быстрый стандарт предыдущего поколения DDR4. Например, SK Hynix раскрыл технические подробности модуля оперативной памяти DDR5-6400, максимально быстрый из всех возможных по стандарту DDR5.
RAM термины: тайминги, задержка и многое другое
Вы познакомились с SDRAM, DIMM и DDR. Но как насчет других длинных цепочек чисел в модели RAM? Что они имеют в виду? В чем измеряется ОЗУ? А что насчет ECC и Swap? Вот другие термины спецификации RAM, которые вы должны знать.
Число, соединенное после DDR, относится к числу мегатрансферов в секунду (МТ/с). Например, оперативная память DDR3-1600 работает на скорости 1600 МТ/с. ОЗУ DDR5-6400, о котором говорилось выше, будет работать со скоростью 6400 МТ/с — намного быстрее! Число в паре после ПК относится к теоретической пропускной способности в мегабайтах в секунду. Например, PC3-12800 работает со скоростью 12 800 МБ/с.
Разгон ОЗУ возможен так же, как разгон процессора или видеокарты. Разгон увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Производители иногда продают предварительно разогнанную оперативную память, но вы можете разогнать ее самостоятельно. Просто убедитесь, что ваша материнская плата поддерживает более высокую тактовую частоту RAM!
Вы можете быть удивлены, можете ли вы смешивать модули оперативной памяти с разными тактовыми частотами. Ответ в том, что да, вы можете, но все они будут работать на тактовой частоте самого медленного модуля. Если вы хотите использовать более быструю оперативную память, не смешивайте ее со старыми, более медленными модулями. Теоретически вы можете смешивать бренды RAM, но это не рекомендуется. У вас больше шансов встретить синий экран смерти или других случайных сбоев, когда вы смешиваете марки RAM или разные тактовые частоты RAM.
Тайминг и задержка
Иногда вы увидите модули оперативной памяти с рядом цифр, например, 9-10-9-27. Эти цифры называются таймингами. Синхронизация ОЗУ — это измерение производительности модуля ОЗУ в наносекундах. Чем ниже цифры, тем быстрее ОЗУ реагирует на запросы.
Первое число (в примере 9) — это задержка CAS. Задержка CAS относится к числу тактовых циклов, необходимых для того, чтобы данные, запрошенные контроллером памяти, стали доступными для вывода данных.
Вы можете заметить, что DDR3 RAM обычно имеет более высокие тактовые номера, чем DDR2, а DDR4 обычно имеет более высокие тактовые номера, чем DDR3. Тем не менее, DDR4 быстрее, чем DDR3, который быстрее, чем DDR2. Странно, правда?
Мы можем объяснить это, используя DDR3 и DDR4 в качестве примеров.
Минимальная частота работы ОЗУ DDR3 составляет 533 МГц, что означает тактовую частоту 1/533000000 или 1,87 нс. При задержке CAS в 7 циклов общая задержка составляет 1,87 x 7 = 13,09 нс. («Нс» означает наносекунды.)
Принимая во внимание, что самая низкая скорость ОЗУ DDR4 составляет 800 МГц, что означает тактовую частоту 1/800000000, или 1,25 нс. Даже если он имеет более высокий CAS из 9 циклов, общая задержка составляет 1,25 x 9 = 11,25 нс. Вот почему это быстрее!
ОЗУ с исправлением ошибок (ECC) — это особый тип модуля памяти, который предназначен для обнаружения и исправления повреждения данных. ECC ram используется на серверах, где ошибки в критически важных данных могут быть катастрофическими. Например, личная или финансовая информация хранится в оперативной памяти при манипулировании связанной базой данных.
Бытовые материнские платы и процессоры обычно не поддерживают ECC-совместимую оперативную память. Если вы не создаете сервер, который специально требует ОЗУ ECC, вы должны держаться подальше от него.
Сколько оперативной памяти вам нужно?
Давно прошли те времена, когда «640K должно хватить на всех». В мире, где смартфоны регулярно поставляются с 4 ГБ ОЗУ или более, а браузеры, такие как Google Chrome, играют быстро и свободно со своим распределением памяти, экономность ОЗУ — вещь прошлое. Средний объем установленной оперативной памяти также увеличивается на всех типах оборудования.
Для большинства людей 4 ГБ — это минимальный объем оперативной памяти, необходимый для компьютера общего пользования. Операционные системы тоже имеют разные спецификации. Например, вы можете запустить Windows 10 только на 1 ГБ ОЗУ, но ваш пользовательский опыт будет вялым. И наоборот, многочисленные дистрибутивы Linux работают очень хорошо с меньшими объемами оперативной памяти.
Если вы обнаружите, что одновременно открыты шесть документов Word, не можете заставить себя закрыть эти 60 вкладок в Google Chrome, возможно, вам понадобится как минимум 8 ГБ ОЗУ. То же самое происходит, если вы хотите использовать виртуальную машину.
16 ГБ ОЗУ должно превышать потребности большинства. Но если вы продолжите работу утилит в фоновом режиме, с множеством вкладок браузера и всего остального, вы по достоинству оцените дополнительную емкость ОЗУ. Очень немногие люди нуждаются в 32 ГБ ОЗУ, но, как говорится, чем больше, тем больше.
Обновление ОЗУ, безусловно, является одним из самых простых способов мгновенного повышения производительности. максимально повысить производительность.
Понимание об оперативной памяти
Теперь вы знаете разницу между оперативной памятью DDR2, DDR3 и DDR4. Вы можете сказать DIMM от SO-DIMM, и вы знаете, как определить RAM с более высокими скоростями передачи и более высокой пропускной способностью. На этом этапе вы, по сути, являетесь экспертом в области ОЗУ, поэтому в следующий раз вы не будете испытывать перегрузку, пытаясь купить больше ОЗУ или совершенно новую систему.
Действительно, если у вас правильный форм-фактор и соответствующее поколение ОЗУ, вы не ошибетесь. И если есть сомнения, больше ОЗУ лучше, чем быстрее ОЗУ важнее.
SDRAM
SDRAM (англ. Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом) — тип запоминающего устройства, использующегося в компьютере в качестве ОЗУ.
В отличие от других типов DRAM, использовавших асинхронный обмен данными, ответ на поступивший в устройство управляющий сигнал возвращается не сразу, а лишь при получении следующего тактового сигнала. Тактовые сигналы позволяют организовать работу SDRAM в виде конечного автомата, исполняющего входящие команды. При этом входящие команды могут поступать в виде непрерывного потока, не дожидаясь, пока будет завершено выполнение предыдущих инструкций (конвейерная обработка): сразу после команды записи может поступить следующая команда, не ожидая, когда данные окажутся записаны. Поступление команды чтения приведёт к тому, что на выходе данные появятся спустя некоторое количество тактов — это время называется задержкой (англ. SDRAM latency ) и является одной из важных характеристик данного типа устройств.
Циклы обновления выполняются сразу для целой строки, в отличие от предыдущих типов DRAM, обновлявших данные по внутреннему счётчику, используя способ обновления по команде CAS перед RAS.
Содержание
История использования
Массовый выпуск SDRAM начался в 1993 году. Первоначально этот тип памяти предлагался в качестве альтернативы для дорогой видеопамяти (VRAM), однако вскоре SDRAM завоевал популярность и стал применяться в качестве ОЗУ, постепенно вытесняя другие типы динамической памяти. Последовавшие затем технологии DDR позволили сделать SDRAM ещё эффективнее. За разработкой DDR SDRAM, последовал стандарт DDR2 SDRAM, а затем и DDR3 SDRAM.
SDR SDRAM
Первый стандарт SDRAM с появлением последующих стандартов стал именоваться SDR (Single Data Rate — в отличие от Double Data Rate). За один такт принималась одна управляющая команда и передавалось одно слово данных. Типичными тактовыми частотами были 66, 100 и 133 МГц. Микросхемы SDRAM выпускались с шинами данных различной ширины (обычно 4, 8 или 16 бит), но как правило, эти микросхемы входили в состав 168-пинного модуля DIMM, который позволял прочитать или записать 64 бита (в варианте без контроля чётности) или 72 бита (с контролем чётности) за один такт.
Использование шины данных в SDRAM оказалось осложнено задержкой в 2 или 3 такта между подачей сигнала чтения и появлением данных на шине данных, тогда как во время записи никакой задержки быть не должно. Потребовалась разработка достаточно сложного контроллера, который не позволял бы использовать шину данных для записи и для чтения в один и тот же момент времени.
Управляющие сигналы
Команды, управляющие модулем памяти SDR SDRAM, подаются на контакты модуля по 7 сигнальным линиям. По одной из них подается тактовый сигнал, передние (нарастающие) фронты которого задают моменты времени, в которые считываются команды управления с остальных 6 командных линий. Имена (в скобках — расшифровки имен) шести командных линий и описания команд приведены ниже:
Устройства SDRAM внутренне разделены на 2 или 4 независимых банка памяти. Входы адреса первого и второго банка памяти (BA0 и BA1) определяют, какому банку предназначена текущая команда.