Что значит скорость памяти ddr3 1600 800 мгц

Почему память работает на 800, хотя она 1600, а мать поддерживает 1066 (1333)?

Существует ли DDR2 8gb 1600/1333/1066/800 MHz одной планкой?
Существует ли DDR2 8gb 1600/1333/1066/800 MHz одной планкой? Надо 16 гб DDR2 двумя планками.

HyperX blue работает на частоте 1333 хотя должна на 1600
В прошлом году купил две планки Kingston DDR3-1600 4096MB PC3-12800 HyperX Blu (KHX1600C9D3B1/4G).

Память с частотой 1600 МГц работает на частоте 800 МГц
В общем суть проблемы такова. Есть 2 планки DDR3l по 4 гб, одной фирмы, с частотой 1600 МГц.

aldo, какой выбор в пункте DRAM Frequency (последний скрин, первая строка)?

Добавлено через 2 минуты
Хотя, в описании материнки написано, что 1333 максимум

krazy2013, то есть там сперва надо три девятки поставить, а потом уже джампер двигать?
а для 1066 частоты надо тайминги ставить?
это первый три колонки надо выставлять: tcl, trcd и trp (см. скриншот выше в ответе № 3)?

Добавлено через 15 минут
УПД: посмотрел. сейчас при 1066 первые три значения стоят 7-7-8. но не факт же, что при перестановки джампера в положение 1333 биос автоматом поставит тайминг? а остальные значения в столбце надо менять при 1333?

та я не сказал что на каждой планке будет по 1600) я имел в виду что производитель пишет 1600 имея в виду то что если вы поставите две таких планки то будет суммарно 1600

Добавлено через 5 минут
хотя может я и не прав, но вроде это так работает.

aldo, не знаю что там надо ставить, просто высказал пищу для размышлений. Плата у тебя на руках? Пробуй всякое.
Знаю, что Асроки кривят биосы чтобы совместимости с памятью мало было. Я китайские планки ддр2 «для амд» через spd ополовинивал и на интеле использую. Так дешевле)) на разных м.п. заводятся асус мси, еск, а вот на один асрок не захотел с такой памятью работать. Я там почти вре тайминги в биосе перекрутил, в spd все тайминги перекрутил, шился раз 20, ну никак не хочет асрок с этими планками «для амд» нормально работать.
Так что кто его знает что у тебя сейчас творится.

Добавлено через 4 минуты
Погодика-погодика, а че это серийный номер фыфыфы? Это что, память с алиэкспресса чтоли?))))) Если так, то читаем что я чуть выше написал. Пробуй нормальные планки ставить а не палево китайское.

Добавлено через 8 минут
Если на 1066 работает, то может так и оставить. Все равно шинка проца всего 333, высокая частота памяти много толку не даст, мне кажется.

Источник

800 mhz оперативная память

– Быстрее, еще быстрее, ну ускорься, пожалуйста, хоть немного, а то меня сейчас…

– Не могу, дорогой Геймер, ведь я достигла своей предельной тактовой частоты.

Примерно так мог бы выглядеть диалог не слишком быстрой оперативной памяти и Геймера, у которого на счету каждая доля секунды.

Тактовая частота оперативной памяти (ОЗУ, RAM) – второй по значимости параметр после объема. Чем она выше, тем быстрее происходит обмен данными между процессором и ОЗУ, тем шустрее работает компьютер. Оперативка с низкими тактами может стать «бутылочным горлом» в ресурсоемких играх и программах. И если вы не хотите каждый раз упрашивать капризную железку немного прибавить скорость, при покупке всегда обращайте внимание на эту характеристику. Сегодня поговорим, как узнать частоту оперативной памяти по описанию в каталогах магазинов, а также той, что установлена на вашем ПК.

Как понять, что за «зверя» предлагает магазин

Кто-то подумает, что речь в этом примере идет о четырех разных планках. На самом деле так можно описать один и тот же модуль RAM с эффективной частотой 1600 МГц! И все эти числа косвенно или прямо указывают на нее.

Чтобы больше не путаться, разберемся, что они означают:

На скриншоте ниже показано описание скоростных характеристик оперативки из каталогов трех компьютерных магазинов. Как видно, все продавцы обозначают их по-своему.

Разные модули ОЗУ в рамках одного поколения – DDR, DDR2, DDR3 или DDR4, имеют разные частотные характеристики. Так, самая распространенная на 2017 год RAM DDR3 выпускается с частотностью 800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 и 2400 МГц. Иногда ее так и обозначают: DDR3-1333, DDR3-1866 и т. д. И это удобно.

Смотрите также:

Собственную эффективную частоту имеет не только оперативка, но и устройство, которое ею управляет – контроллер памяти. В современных компьютерных системах, начиная с поколения Sandy Bridge, он входит в состав процессора. В более старых – в состав компонентов северного моста материнской платы.

Если на компьютере установлено несколько планок ОЗУ с разными частотными характеристиками, подсистема памяти будет вести обмен данными со скоростью самого медленного звена (исключение – устройства с поддержкой технологии XMP). Так, если частота контроллера составляет 1333 МГц, одной из планок – 1066 МГц, а другой – 1600 МГц, передача будет идти на скорости 1066 МГц.

Как узнать частоту оперативки на компьютере

Данные SPD умеют читать и программы, Например, широко известная утилита CPU-Z, один из разделов которой так и называется – «SPD». На скриншоте далее мы видим уже знакомые характеристики скорости планки оперативки (поле «Max Bandwidth») – PC3-12800 (800 MHz). Чтобы узнать ее эффективную частоту, достаточно разделить 12800 на 8 или 800 умножить на 2. В моем примере этот показатель равен 1600 MHz.

Однако в CPU-Z есть еще один раздел – «Memory», а в нем – параметр «DRAM Frequency», равный 665,1 MHz. Это, как вы, наверное, догадались, фактические данные, то есть частотный режим, в котором в действительности функционирует ОЗУ. Если мы умножим 665,1 на 2, то получим 1330,2 MHz – значение, близкое к 1333 – частоте, на которой работает контроллер памяти этого ноутбука.

Помимо CPU-Z, аналогичные данные показывает и другие приложения, служащие для распознавания и мониторинга железа ПК. Ниже приведены скриншоты бесплатной утилиты HWiNFO32/64:

И платной, но горячо любимой российскими пользователями AIDA64:

Где и что смотреть, думаю, понятно.

Наконец, последний способ узнать частоту оперативной памяти – это чтение этикетки, приклеенной к самой планке.

Если вы прочитали статью сначала, вам не составит труда найти в этих строчках нужные сведения. В примере, показанном выше, интересующий показатель составляет 1600 MHz и скрывается в слове “PC3L-12800s”.

Материнская плата:
Gigabyte GA-P35-DS3L

2 планки по 2Gb
Kingmax 1066MHz DDR II

В системе определяются как 800Mhz.
С горем пополам разгон происходит, но так как нечасто таким занимаюсь, есть некоторые опасения.
Кто с таким сталкивался, помогите советом, ссылками.
Почему при поддержке материнской платой работы c такой частотой и номинальной частотой оперативной памяти 1066MHz она определяется и работает 800MHz?

Свойства системной платы:
ID системной платы 06/19/2009-P35-ICH9-6A79OG0TC-00
Системная плата Gigabyte GA-P35-DS3L

Свойства шины FSB:
Тип шины Intel AGTL+
Ширина шины 64 бит
Реальная частота 333 МГц (QDR)
Эффективная частота 1333 МГц
Пропускная способность 10665 МБ/с

Свойства шины памяти:
Тип шины Dual DDR2 SDRAM
Ширина шины 128 бит
Соотношение DRAM:FSB 16:10
Реальная частота 533 МГц (DDR)
Эффективная частота 1067 МГц
Пропускная способность 17064 МБ/с

Расскажем почему в параметрах системы у оперативной памяти всего 800 МГц вместо заявленных производителем 1600…

Иногда в свойствах системы вместо 1600 МГц отображается только 800 МГц. Согласитесь — обидно после покупки нового компьютера обнаружить, что не хватает половины заявленного объема оперативной памяти. Почему же так происходит?

Скорость обработки информации компьютером напрямую зависит от частоты оперативной памяти, другими словами — чем больше значение частоты, тем эффективнее производительность системы. Существует понятие тактовой частоты оперативной памяти (далее — ОП) и частоты передачи данных (её еще называют скоростью обмена данными или Data rate).

Именно под частотой передачи данных оперативной памяти производители и подразумевают основную частоту DDR. Так почему же оперативная память показывает 800 МГц вместо 1600 — давайте разбираться дальше.

В начале девяностых в основе первых компьютеров лежала память SDRAM — динамическая синхронная с произвольным доступом, но уже в двухтысячных концепция оперативной памяти несколько поменялась и появилась плата DDR SDRAM. Здесь наши самые догадливые читатели уже могут догадаться почему оперативная память показывает 800 МГц вместо 1600

В скором времени плата с двойной передаваемой скоростью полностью вытеснила SDRAM.
Главное отличие DDR от SDRAM заключается в том, что при одной и той же основной частоте информация на DDR плашках обрабатывается в два раза быстрее. Такие результаты были достигнуты благодаря новой конструкции передающей шины — модифицировав передающую шину удалось за один такт передавать в два раза больше данных.

В свойствах системы отображается именно основная частота — в нашем случае она составляет 800 МГц. За один такт осуществляется двойной объем данных по отрицательному и по положительному синхросигналу

Таким образом, эффективная частота будет равняться 800*2=1600 МГц. Именно это значение и указывается производителем в спецификациях к ОП — согласно стандартам DDR. Вот почему оперативная память показывает 800 МГц вместо 1600. Никаких ошибок здесь нет и быть не может.

Устанавливая новые плашки оперативной памяти необходимо также учитывать частоту на которой работает материнская плата. Установив две плашки оперативной памяти с различной частотой, компьютер будет использовать предельную частоту самой медленной плашки

Последнее может привести к сбоям системы, которые могут грозить серьезными поломками компонентов компьютера…

Источник

Почему оперативная память показывает 800 МГц вместо 1600: интересное

Расскажем почему в параметрах системы у оперативной памяти всего 800 МГц вместо заявленных производителем 1600…

Иногда в свойствах системы вместо 1600 МГц отображается только 800 МГц. Согласитесь — обидно после покупки нового компьютера обнаружить, что не хватает половины заявленного объема оперативной памяти. Почему же так происходит?

Скорость обработки информации компьютером напрямую зависит от частоты оперативной памяти, другими словами — чем больше значение частоты, тем эффективнее производительность системы. Существует понятие тактовой частоты оперативной памяти (далее — ОП) и частоты передачи данных (её еще называют скоростью обмена данными или Data rate).

Именно под частотой передачи данных оперативной памяти производители и подразумевают основную частоту DDR. Так почему же оперативная память показывает 800 МГц вместо 1600 — давайте разбираться дальше.

В начале девяностых в основе первых компьютеров лежала память SDRAM — динамическая синхронная с произвольным доступом, но уже в двухтысячных концепция оперативной памяти несколько поменялась и появилась плата DDR SDRAM. Здесь наши самые догадливые читатели уже могут догадаться почему оперативная память показывает 800 МГц вместо 1600

В скором времени плата с двойной передаваемой скоростью полностью вытеснила SDRAM.
Главное отличие DDR от SDRAM заключается в том, что при одной и той же основной частоте информация на DDR плашках обрабатывается в два раза быстрее. Такие результаты были достигнуты благодаря новой конструкции передающей шины — модифицировав передающую шину удалось за один такт передавать в два раза больше данных.

В свойствах системы отображается именно основная частота — в нашем случае она составляет 800 МГц. За один такт осуществляется двойной объем данных по отрицательному и по положительному синхросигналу

Таким образом, эффективная частота будет равняться 800*2=1600 МГц. Именно это значение и указывается производителем в спецификациях к ОП — согласно стандартам DDR. Вот почему оперативная память показывает 800 МГц вместо 1600. Никаких ошибок здесь нет и быть не может.

Устанавливая новые плашки оперативной памяти необходимо также учитывать частоту на которой работает материнская плата. Установив две плашки оперативной памяти с различной частотой, компьютер будет использовать предельную частоту самой медленной плашки

Последнее может привести к сбоям системы, которые могут грозить серьезными поломками компонентов компьютера…

Источник

Первый взгляд на DDR3

По материалам наших ежегодных iТогов по десктопной оперативной памяти (см., например, материалы за 2004, 2005 и 2006 год) легко заметить, что наиболее приоритетным направлением развития технологии оперативной памяти DDR SDRAM уже который год подряд является дальнейшее увеличение ее пропускной способности (напрямую зависящей от ее тактовой частоты) и снижение задержек. На втором месте по важности, пожалуй, располагается уменьшение ее энергопотребления и, наконец, увеличение емкости отдельных компонентов (микросхем) и модулей памяти в целом. По-видимому, реализация первого направления считается наиболее важной, в связи с чем происходит практически непрерывно (в рамках одной и той же ступени эволюции технологии — например, плавный переход от DDR2-400 к DDR2-800 и выше), тогда как реализация остальных из перечисленных выше задач, как правило, требует определенного эволюционного скачка в технологическом развитии (например, перехода от технологии DDR к технологии DDR2). Действительно, простое увеличение частоты шины памяти сказывается на ее энергопотреблении явно не положительным образом, поэтому для решения задачи снижения энергопотребления требуются иные подходы. Более того, ситуация, как правило, осложняется тем, что решение этой задачи несколько противоречит «генеральной линии» развития технологий памяти, которая, напомним, заключается в достижении все больших пропускных способностей (частот) и все меньших задержек. И правда, хорошо известно, что первые варианты памяти типа DDR2 ощутимо проигрывали их «равночастотным» аналогам типа DDR по задержкам. Тем не менее, неограниченный рост частот (и снижение задержек) в рамках одной и той же технологии памяти невозможен — он ограничен вполне определенными физическими причинами (прежде всего, тепловыделением), поэтому «эволюционные скачки» в развитии технологий памяти все же необходимы, и обусловлены они не только заботой о меньшем потреблении энергии.

Так обстояло дело при первом эволюционном скачке в развитии технологий памяти DDR SDRAM — переходе от DDR к DDR2. Первые образцы DDR функционировали на частоте всего 100 МГц (и имели рейтинг DDR-200), затем частота постепенно увеличилась до 200 МГц (DDR-400). Происходило одновременное уменьшение задержек — первоначальные схемы таймингов вида 3-3-3-8 сменились весьма низкими схемами вида 2-2-2-5. Затем появились и более высокочастотные модули памяти DDR (вплоть до 300 МГц, т.е. DDR-600), однако официально они так и не были приняты стандартом JEDEC. Увеличение частоты модулей памяти, либо снижение задержек требовало повышения питающего напряжения со стандартного уровня 2.5 В до значений порядка 2.85 В, проблема избыточного тепловыделения решалась, как правило, применением обычных теплоотводов.

Когда дальнейшее увеличение тактовых частот памяти DDR оказалось практически невозможным, на рынке десктопной оперативной памяти появилось новое, второе поколение памяти DDR SDRAM — память DDR2, которая постепенно начала доказывать свою конкурентоспособность и медленно, но верно вытеснять «старое» поколение памяти DDR. Первоначальные варианты DDR2 были представлены частотами 200 МГц (DDR2-400) и 266 МГц (DDR2-533) — так сказать, DDR2 начала свое развитие там, где (официально) закончила свое развитие DDR. Более того, первоначальный стандарт DDR2 предусматривал гораздо более высокочастотные варианты, по сравнению с привычной DDR — 333-МГц модули типа DDR2-667 и 400-МГц вариант DDR2-800. При этом микросхемы DDR2 были основаны на новом технологическом процессе, позволяющем использовать питающее напряжение всего 1.8 В (что явилось одним из факторов снижения их энергопотребления) и достигать более высоких емкостей компонентов и, следовательно, модулей памяти.

Благодаря чему удалось достичь (сначала — в теории, а затем — и на практике) больших тактовых частот (а следовательно, и пропускных способностей) памяти DDR2 при одновременном уменьшении ее энергопотребления, по сравнению с DDR? Были ли при этом у DDR2 только одни преимущества перед DDR, или имелись и недостатки? Чтобы ответить на эти вопросы, позволим себе сделать краткий экскурс в теорию. Для начала, рассмотрим предельно упрощенную схему функционирования памяти типа DDR (рис. 1).

Передача данных от микросхем памяти модуля к контроллеру памяти по внешней шине данных осуществляется по обоим полупериодам синхросигнала (восходящему — «фронту», и нисходящему — «срезу»). В этом и заключается суть технологии «Double Data Rate», именно поэтому «рейтинг», или «эффективная» частота памяти DDR всегда является удвоенной (например, DDR-400 при 200-МГц частоте внешней шины данных). Итак, «эффективная» частота внешней шины данных памяти DDR-400 составляет 400 МГц, тогда как ее истинная частота, или частота буферов ввода-вывода, составляет 200 МГц. В устройствах памяти первого поколения DDR внутренняя частота функционирования микросхем памяти приравнена к истинной частоте внешней шины (частоте буферов ввода-вывода) и составляет 200 МГц для рассматриваемой микросхемы памяти DDR-400. При этом совершенно очевидно, что для того, чтобы передавать по 1 биту данных за такт (по каждой линии данных) по внешней шине с «эффективной» частотой 400 МГц, за один такт внутренней 200-МГц шины данных необходимо передать 2 бита данных. Иными словами, можно сказать, что при прочих равных условиях внутренняя шина данных должна быть вдвое шире по сравнению с внешней шиной данных. Такая схема доступа к данным называется схемой «2n-предвыборки» (2n-prefetch).

Наиболее естественным путем решения проблемы достижения более высоких тактовых частот при переходе от DDR к DDR2 явилось снижение тактовой частоты внутренней шины данных вдвое по отношению к реальной тактовой частоте внешней шины данных (частоте буферов ввода-вывода). Так, в рассматриваемом примере микросхем памяти DDR2-800 (рис. 2) частота буферов ввода-вывода составляет 400 МГц, а «эффективная» частота внешней шины данных — 800 МГц (поскольку сущность технологии Double Data Rate остается в силе — данные по-прежнему передаются как по восходящему, так и по нисходящему полупериоду синхросигнала). При этом частота внутренней шины данных составляет всего 200 МГц, поэтому для передачи 1 бита (по каждой линии данных) за такт внешней шины данных с эффективной частотой 800 МГц на каждом такте 200-МГц внутренней шины данных требуется передача уже 4 бит данных. Иными словами, внутренняя шина данных микросхемы памяти DDR2 должна быть в 4 раза шире по сравнению с ее внешней шиной. Такая схема доступа к данным, реализованная в DDR2, называется схемой «4n-предвыборки» (4n-prefetch). Ее преимущества перед схемой 2n-prefetch, реализованной в DDR, очевидны. С одной стороны, для достижения равной пиковой пропускной способности можно использовать вдвое меньшую внутреннюю частоту микросхем памяти (200 МГц для DDR-400 и всего 100 МГц для DDR2-400, что позволяет значительно снизить энергопотребление). С другой стороны, при равной внутренней частоте функционирования микросхем DDR и DDR2 (200 МГц как для DDR-400, так и DDR2-800) последние будут характеризоваться вдвое большей теоретической пропускной способностью. Но очевидны и недостатки — функционирование микросхем DDR2 на вдвое меньшей частоте (в условиях равенства теоретической пропускной способности устройств DDR и DDR2) и использование более сложной схемы преобразования «4-1» приводит к ощутимому возрастанию задержек, что и наблюдалось на практике в ходе исследования первых образцов модулей памяти DDR2.

Естественно, применение схемы 4n-prefetch — не единственное нововведение в DDR2, однако оно является наиболее значимым отличием от предыдущего поколения памяти DDR, поэтому достаточно для нашего краткого рассмотрения. За более полными подробностями относительно DDR2 мы рекомендуем обратиться к нашей статье «DDR2 — грядущая замена DDR. Теоретические основы и первые результаты низкоуровневого тестирования».

Дальнейшее развитие технологии памяти DDR2 явилось существенно аналогичным развитию ее предыдущего поколения, памяти DDR. А именно, были достигнуты частоты в 333 и 400 МГц (т.е. реализованы официальные стандарты DDR2-667 и DDR2-800). Были значительно снижены задержки, даже официально появилась новая версия стандарта JEDEC (JESD79-2B), допускающая снижение схемы таймингов от 4-4-4 до 3-3-3 — для DDR2-533, от 5-5-5 до 4-4-4 — для DDR2-667, от 6-6-6 до 5-5-5 и даже 4-4-4 — для DDR2-800. Конечно же, следом появились и «нестандартные» разновидности DDR2, по своей частоте выходящие далеко за пределы спецификации JEDEC — вплоть до 625 МГц («DDR2-1250») при схеме таймингов 5-5-5, либо «стандартные» DDR2-800, но с экстремально низкими схемами таймингов вроде 3-3-3. Как и прежде, для достижения таких рекордов потребовалось значительное поднятие питающего напряжения модулей со стандартного уровня 1.8 В до экстремально высоких уровней порядка 2.4 В (что совсем немного уступает стандартному значению предыдущего поколения памяти DDR — 2.5 В). Разумеется, это потребовало применения более «продвинутых» способов отвода тепла от микросхем памяти — как оригинальных, патентованных фирменных конструкций теплоотводов, так и применения внешнего активного охлаждения.

Тем не менее, как и в случае с прошлым поколением памяти DDR, на сегодняшний день предел технологии памяти DDR2 (по частоте, задержкам и значительно возросшему тепловыделению вследствие значительного увеличения питающего напряжения) практически достигнут. Поэтому уже сегодня вполне закономерно ожидать очередной «эволюционный скачок» технологии памяти DDR SDRAM — переход от памяти стандарта DDR2 к новому стандарту DDR3.

Нетрудно догадаться, что основной принцип, лежащий в основе перехода от DDR2 к DDR3, в точности повторяет рассмотренную выше идею, заложенную при переходе от DDR к DDR2. А именно, DDR3 — это «все та же DDR SDRAM», т.е. передача данных по-прежнему осуществляется по обоим полупериодам синхросигнала на удвоенной «эффективной» частоте относительно собственной частоты шины памяти. Только рейтинги производительности выросли в 2 раза, по сравнению с DDR2 — типичными скоростными категориями памяти нового стандарта DDR3 будут являться разновидности от DDR3-800 до DDR3-1600 (а возможно, и выше). Очередное увеличение теоретической пропускной способности компонентов памяти в 2 раза вновь связано со снижением их внутренней частоты функционирования во столько же раз. Поэтому отныне, для достижения темпа передачи данных со скоростью 1 бит/такт по каждой линии внешней шины данных с «эффективной» частотой в 1600 МГц (как в примере, рассмотренном на рис. 3) используемые 200-МГц микросхемы должны передавать по 8 бит данных за каждый «свой» такт. Т.е. ширина внутренней шины данных микросхем памяти окажется уже в 8 раз больше по сравнению с шириной их внешней шины. Очевидно, такая схема передачи данных с рассмотренным преобразованием типа «8-1» будет называться схемой «8n-предвыборки» (8n-prefetch). Преимущества при переходе от DDR2 к DDR3 будут теми же, что и при состоявшемся ранее переходе от DDR к DDR2: с одной стороны, это снижение энергопотребления компонентов в условиях равенства их пиковой пропускной способности (DDR3-800 против DDR2-800), с другой стороны — возможность дальнейшего наращивания тактовой частоты и теоретической пропускной способности при сохранении прежнего уровня «внутренней» частоты компонентов (DDR3-1600 против DDR2-800). Теми же будут и недостатки — дальнейший разрыв между «внутренней» и «внешней» частотой шин компонентов памяти будет приводить к еще большим задержкам. Резонно ожидать, что относительное увеличение последних, при переходе от DDR2 к равночастотной DDR3, будет примерно таким же, как и при переходе от DDR к равночастотной DDR2.

Что ж, перейдем к несколько более детальному рассмотрению нового поколения микросхем и модулей памяти DDR3, грядущих на смену нынешней DDR2.

DDR3: некоторые технические сведения

Стандарт DDR3 на сегодняшний день еще не принят JEDEC, его принятие ожидается ближе к середине текущего года (предположительно, он будет носить имя JESD79-3). Поэтому представленная ниже информация о микросхемах и модулях памяти DDR3 пока что носит предварительный характер.

Перейдем к рассмотрению модулей памяти DDR3. Как и модули памяти DDR2, они выпускаются в виде 240-контактной печатной платы (по 120 контактов с каждой стороны модуля), однако не являются электрически совместимыми с последними, и по этой причине имеют иное расположение «ключа» (см. рис. 5а).

Рис. 5а. Внешний вид типичных модулей памяти DDR3 (сверху) и DDR2 (снизу)

Рис. 5б. Внешний вид типичных разъёмов на системной плате (комбо) для установки модулей памяти DDR3 (голубой/розовый) и DDR2 (зелёный/оранжевый)

Отличительной особенностью схемотехнического дизайна модулей памяти DDR3 является применение «сквозной», или «пролетной» (fly-by) архитектуры передачи адресов и команд, а также сигналов управления и тактовой частоты отдельным микросхемам модуля памяти с применением внешнего терминирования сигналов (резистором, расположенным на модуле памяти). Схематически эта архитектура представлена на рис. 6. Она позволяет добиться увеличения качества передачи сигналов, что необходимо при функционировании компонентов при высоких частотах, типичных для памяти DDR3 и не требуется для компонентов памяти стандарта DDR2.

Различие между способом подачи адресов и команд, сигналов управления и тактовой частоты в модулях памяти DDR2 и DDR3 (на примере модулей, физический банк которых составлен из 8 микросхем разрядностью x8) представлено на рис. 7. В модулях памяти DDR2 подача адресов и команд осуществляется параллельно на все микросхемы модуля, в связи с чем, например, при считывании данных, все восемь 8-битных элементов данных окажутся доступными в один и тот же момент времени (после подачи соответствующих команд и истечения соответствующих задержек) и контроллер памяти сможет одновременно прочитать все 64 бита данных. В то же время, в модулях памяти DDR3 вследствие применения «пролетной» архитектуры подачи адресов и команд каждая из микросхем модуля получает команды и адреса с определенным отставанием относительно предыдущей микросхемы, поэтому элементы данных, соответствующие определенной микросхеме, также окажутся доступными с некоторым отставанием относительно элементов данных, соответствующих предыдущей микросхеме в ряду, составляющем физический банк модуля памяти. В связи с этим, с целью минимизации задержек, в модулях памяти DDR3, по сравнению с модулями DDR2, реализован несколько иной подход ко взаимодействию контроллера памяти с шиной данных модуля памяти. Он называется «регулировкой уровня чтения/записи» (read/write leveling) и позволяет контроллеру памяти использовать определенное смещение по времени при приеме/передачи данных, соответствующее «запаздыванию» поступления адресов и команд (а следовательно, и данных) в определенную микросхему модуля. Этим достигается одновременность считывания (записи) данных из микросхем (в микросхемы) модуля памяти.

В заключение рассмотрим скоростные характеристики предполагаемых спецификаций модулей памяти DDR3, которые представлены в таблице 1.

Табл. 1. Скоростные характеристики модулей памяти DDR3

Предположительно, модули памяти DDR3 будут предлагаться в вариантах от DDR3-800 до DDR3-1600 включительно, далее не исключено появление и более высокоскоростных модулей категории DDR3-1866. Рейтинг производительности модулей памяти DDR3 имеет значение вида «PC3-X», где X означает пропускную способность модуля в одноканальном режиме, выраженную в МБ/с (если быть точным — млн. байт/с). Поскольку модули памяти DDR3 имеют ту же разрядность, что и модули памяти DDR2 — 64 бита, численные значения рейтингов равночастотных модулей памяти DDR2 и DDR3 совпадают (например, PC2-6400 для DDR2-800 и PC3-6400 для DDR3-800).

Типичные схемы таймингов, предполагаемые в настоящее время для модулей памяти DDR3, выглядят весьма «внушительно» (например, 9-9-9 для DDR3-1600), однако не стоит забывать, что столь большие относительные значения таймингов, будучи переведенными в абсолютные значения (в наносекундах), учитывая все меньшее время цикла (обратно пропорциональное частоте шины памяти), становятся вполне приемлемыми. Так, например, задержка сигнала CAS# (t_CL) для модулей памяти DDR3-800 со схемой таймингов 6-6-6 составляет 15 нс, что, конечно, несколько великовато по сравнению с «типичными» DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5, для которых t_CL составляет 12.5 нс. В то же время, память типа DDR3-1600 со схемой таймингов 9-9-9 уже характеризуются величиной задержки t_CL всего 11.25 нс, что находится на уровне DDR2-533 с достаточно низкими задержками (схемой таймингов 3-3-3). Таким образом, даже при предполагаемом на данный момент «раскладе» схем таймингов модулей памяти DDR3 можно ожидать постепенное снижение реально наблюдаемых задержек при доступе в память, вплоть до значений, типичных для нынешнего поколения модулей памяти DDR2. К тому же, не стоит забывать и о дальнейшем снижении задержек (и снижении таймингов) по мере развития технологии.

Конфигурация тестового стенда

DDR3: первые результаты реального тестирования

Перейдем, как говорится, от теории к практике. В распоряжении нашей тестовой лаборатории оказались уникальные предсерийные образцы материнской платы MSI P35 Neo Combo, основанная на новом чипсете Intel P35 и модулей памяти Corsair XMS3-1066 (CM3X1024-1066C7 ES). Материнская плата MSI P35 Neo Combo, как следует из ее названия, представляет собой «комбинированный» вариант, т.е. позволяет устанавливать как модули памяти DDR2, так и DDR3. Заметим, что «комбинирование» модулей памяти в этой материнской плате осуществляется по принципу «либо DDR2, либо DDR3», т.е. одновременное использование модулей памяти DDR2 и DDR3 (как в общем канале, так и для составления разных каналов) невозможно. На настоящее время, вследствие отсутствия официальной спецификации на новые чипсеты Intel, невозможно сказать, является ли это принципиальным ограничением чипсета Intel P35, либо просто особенностью разводки данной платы. Однако весьма вероятно, что имеет место первый вариант — чипсеты Intel, как правило, не отличаются сомнительным экзотическим преимуществом в виде одновременной поддержки разных типов памяти.

Модули памяти CM3X1024-1066C7 ES представляют собой инженерный образец модулей памяти DDR3-1066 со схемой таймингов 7-7-7-21 (в точности совпадающей с предполагаемой схемой для модулей памяти DDR3 данной скоростной категории, приведенной в табл. 1). Для сопоставления скоростных характеристик этих модулей памяти, как представителей нового типа памяти DDR3, со скоростными характеристиками нынешнего поколения модулей памяти DDR2 были выбраны модули памяти Corsair DOMINATOR XMS2-9136C5D примерно равной скоростной категории «DDR2-1142», использованные в режиме DDR2-1066 с номинальной для этих модулей схемой таймингов 5-5-5-15.

Режим функционирования модулей памяти DDR2 и тайминги устанавливались вручную в настройках BIOS материнской платы, питающее напряжение было увеличено до 2.3 В. Заметим, что текущая версия BIOS (V1.0B16 от 20.04.2007) материнской платы MSI P35 Neo Combo не позволяет настроить значения таймингов модулей памяти DDR3 должным образом, по-прежнему предлагая значения основных параметров (t_CL, t_RCD и t_RP) от 3 до 6 включительно, что соответствует таймингам памяти DDR2, но не DDR3. То же касается и питающего напряжения модулей — по-прежнему предлагается выбор от 1.8 В до 2.5 В, тогда как «официальное» питающее напряжение модулей памяти DDR3 составляет всего 1.5 В. В связи с этим, для модулей памяти DDR3 были выбраны «автоматические» настройки «by SPD» при минимальном питающем напряжении 1.8 В, однако сказать что-либо определенное относительно этих настроек (как о реальной поддержки еще не утвержденного стандарта специфических расширений SPD для DDR3, так и о корректной настройке временных параметров контроллера памяти чипсета Intel P35 при использовании DDR3) невозможно. Достаточно сказать лишь главное: используемая нами связка модули памяти DDR3 Corsair XMS3-1066 и материнской платы MSI P35 Neo Combo оказались работоспособной. Так что приступим к рассмотрению результатов наших тестов, выполненных в последней доступной версии тестового пакета RightMark Memory Analyzer 3.72, включающего в себя тест многопоточного доступа к памяти RightMark Multi-Threaded Memory Test 1.0.

Начнем с тестов реальной пропускной способности памяти (ПСП) при «одноядерном» варианте доступа. Как обычно, измерение реальной ПСП проводилось в четырех режимах доступа: «простом» чтении данных (Read), «простой» записи данных (Write), чтении данных с программной предвыборкой при оптимальной дистанции предвыборки, которая для процессора Intel Core 2 Duo в составляет примерно 1024 байта (Read SW PF) и, наконец, записи данных методом прямого сохранения (Write NT). При этом первые два режима доступа позволяют оценить «среднюю» реальную ПСП при операциях чтения и записи, а два последних режима — максимальную реальную ПСП при тех же операциях.

Из приведенной на рис. 8 диаграммы с результатами тестов памяти DDR2-1066 и DDR3-1066 в однопоточном режиме доступа видно, что DDR3 если и уступает равночастотной DDR2, то весьма незначительно: отставание составляет примерно 5-8% и особенно заметно по максимальной реальной ПСП при операциях чтения. При этом и в том, и в другом случае реально наблюдаемые величины ПСП весьма далеки от максимальной теоретической ПСП DDR2/DDR3-1066, которая в двухканальном режиме составляет примерно 17.1 ГБ/с. Впрочем, последнее обстоятельство хорошо объясняется наличием «узкого места» в системе в виде 266-МГц системной шины (1066 МГц Quad-Pumped bus), пиковая пропускная способность которой — всего 8.53 ГБ/с.

Использование двухпоточного варианта доступа к памяти (одновременно с обоих ядер процессора, см. рис. 9) позволяет достичь несколько больших значений ПСП (порядка 8.0 ГБ/с, что ближе к теоретическому пределу ПС системной шины 8.53 ГБ/с), причем в данном случае DDR3-1066 в целом оказывается примерно наравне с DDR2-1066, а в случае максимальной реальной ПСП на чтение даже превосходит последнюю примерно на 2%. Итак, заключаем: что касается реальной пропускной способности, на нынешнем поколении платформ Intel оперативная память нового стандарта DDR3 как минимум не уступает, а в ряде случаев и превосходит равночастотную память стандарта DDR2. А значит, применение «сквозной» архитектуры подачи адресов и команд (fly-by architecture) и компенсирующего ее принципа регулировки уровня чтения/записи (read/write leveling), необходимых для достижения высоких частот функционирования компонентов памяти, оправдывает свое назначение, поскольку как минимум не ухудшает (а возможно, и несколько улучшает) скоростные характеристики подсистемы памяти.

Внимательный читатель вполне может возразить на эти выводы, сделанные на основании тестов памяти исключительно в двухканальном режиме. Действительно, ведь «узким местом» системы в данном случае является не шина памяти (от двух каналов контроллера к каждому из модулей памяти), а системная шина (от процессора к чипсету/контроллеру памяти). Поэтому, быть может, мы просто «не видим» разницу между DDR2 и DDR3 именно по этой причине? Поскольку такое возражение было бы вполне закономерным, мы решили проверить правомерность сделанного нами вывода, исследовав одноканальный режим работы памяти. Конечно, такой режим работы в наши дни представляет лишь чисто теоретический интерес, но именно он позволяет «приравнять» пиковую ПС системной шины и шины памяти, тем самым исключив возможное влияние первой на результаты низкоуровневого тестирования. Соответствующие результаты приведены в таблице 2.

Табл. 2. Реальная пропускная способность памяти DDR2 и DDR3
в одноканальном режиме

Как и следовало ожидать, величины ПСП, как при «одноядерном», так и при «двухъядерном» доступе к памяти в одноканальном режиме ее работы оказываются заметно меньшими по сравнению с соответствующими значениями ПСП при двухканальном режиме работы оперативной памяти. Более того, «одноядерный» вариант доступа показывает несколько большее, но все же не столь существенное отставание DDR3 от DDR2 (4-11%), однако «двухъядерный» доступ в память вновь практически выравнивает показания DDR2 и DDR3 и также позволяет последней выиграть примерно 1-2% у равночастотной DDR2 при операциях чтении данных. Максимальная реальная ПСП как DDR2-1066, так и DDR3-1066 достигает примерно 82-83% от теоретического максимума памяти рассматриваемой скоростной категории, функционирующей в одноканальном режиме, что, на наш взгляд, является весьма неплохим результатом. А сами по себе результаты тестов DDR2 и DDR3 в одноканальном режиме подтверждают правомерность выводов относительно скоростных характеристик памяти DDR3, сделанных нами выше.

Что ж, нам остается оценить задержки при доступе к равночастотной памяти DDR2 и DDR3 (так называемую «латентность памяти»). Конечно, из общих соображений следует ожидать большую их величину для последней (учитывая, хотя бы, большую схему таймингов 7-7-7 против 5-5-5 для DDR2), однако посмотрим, какой окажется разница по задержкам на самом деле. Заметим, что в данном случае мы получили практически идентичный результат как в двухканальном, так и в одноканальном режиме работы памяти, поэтому приведем лишь результаты для двухканального режима, имеющего практический смысл (см. рис. 10).

Итак, задержки при доступе в память типа DDR3-1066, естественно, оказываются выше по сравнению с доступом в память типа DDR2-1066. Относительное увеличение задержек составляет примерно 13% при псевдослучайном доступе и примерно 16% — при истинно случайном доступе. Тем не менее, если учесть, что различие между схемами таймингов 7-7-7-21 и 5-5-5-15 составляет целых 40% (правда, как мы писали выше, в случае DDR3 мы пока не можем сказать ничего определенного относительно реально используемой схемы таймингов), реально наблюдаемое увеличение задержек при переходе от DDR2 к DDR3 выглядит более чем приемлемым.

Заключение

Результаты нашего первого низкоуровневого тестирования инженерных образцов модулей памяти DDR3 в сопоставлении с равночастотными модулями памяти DDR2 в идентичных условиях тестирования позволяют нам заключить, что память нового, еще не принятого окончательно стандарта DDR3 уже на сегодняшний день может оправдывать свое существование. Ее скоростные характеристики как минимум не уступают, а в ряде случаев и несколько превосходят характеристики аналогичных модулей памяти текущего стандарта DDR2. Сравнительно небольшим оказалось и относительное возрастание задержек (13-16%) при переходе от DDR2 к DDR3 при прочих равных условиях. А если учесть, что развитие технологий памяти в основном идет по пути одновременного роста тактовых частот и снижения задержек, будущее поколение DDR3 вполне сможет сократить указанный разрыв, а то и вовсе выигрывать по задержкам у DDR2 (уже сегодня практически прекратившей свое дальнейшее развитие).

В то же время, нельзя не заметить, что пока что новую память DDR3 ждет примерно та же участь, что и нынешнее поколение высокоскоростной DDR2 (DDR2-800 и выше). А именно — серьезное затруднение раскрытия гигантского скоростного потенциала самой оперативной памяти, которая давно перестала быть «узким местом» системы. Так, например, на участвующей в нашем сегодняшнем исследовании платформе Intel Core 2 Duo / Intel P35 приличного раскрытия потенциала памяти DDR2-1066 или DDR3-1066 можно ожидать лишь в одноканальном режиме работы последней (как мы показали, при этом реальная пропускная способность памяти достигает примерно 83% от теоретического максимума), который, согласитесь, не представляет интереса с практической точки зрения. Применение же двухканального режима работы памяти приводит к серьезному ограничению ее ПСП со стороны системной шины, вдвое более узкой по своей пропускной способности. Мы неоднократно упоминали о подобных ограничениях в нашем цикле статей по оперативной памяти (см., например, iТоги за 2006 год), и нам остается надеяться, что производители важнейших компонентов платформы — процессоров и чипсетов — осознают необходимость серьезной модернизации последних для достижения высоких стандартов скорости, диктуемых. технологиями оперативной памяти.

Источник