Что такое sdram ddr3

DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.

У DDR3 уменьшено на 15% (точный процент) [1] [2] ) потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. [2] Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.

Содержание

Совместимость

Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 электрически и механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.
В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.

Спецификации стандартов

Стандартное название	Частота памяти	Время цикла	Частота шины	Эффективная(удвоенная) скорость	Название модуля	Пиковая скорость передачи данных при 64-битной адресации в одноканальном режиме
DDR3-800	100 МГц	10,00 нс	400 МГц	800 МТ	PC3-6400	6400 МБ/с
DDR3-1066	133 МГц	7,50 нс	533 МГц	1066 МТ	PC3-8500	8533 МБ/с
DDR3-1333	166 МГц	6,00 нс	667 МГц	1333 МТ	PC3-10600	10667 МБ/с
DDR3-1600	200 МГц	5,00 нс	800 МГц	1600 МТ	PC3-12800	12800 МБ/с
DDR3-1866	233 МГц	4,29 нс	933 МГц	1866 МТ	PC3-14900	14930 МБ/с
DDR3-2000	250 МГц	4,00 нс	1000 МГц	2000 МТ	PC3-16000	16000 МБ/с
DDR3-2133	266 МГц	3,75 нс	1066 МГц	2133 МТ	PC3-17000	17066 МБ/с
DDR3-2200	275 МГц	3,64 нс	1100 МГц	2200 МТ	PC3-17600	17600 МБ/с
DDR3-2400	300 МГц	3,33 нс	1200 МГц	2400 МТ	PC3-19200	19200 МБ/с

Возможности

Возможности микросхем DDR3 SDRAM

Возможности модулей DIMM DDR3

Преимущества и недостатки

Преимущества по сравнению с DDR2

Недостатки по сравнению с DDR2

См. также

Производители

Примечания

Литература

В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8

Ссылки

Полезное

Смотреть что такое «DDR3 SDRAM» в других словарях:

DDR3-SDRAM — 2 DDR SDRAM Module – oben 512 MB mit sogenanntem „Heatspreader“ und beidseitig bestückt, unten 256 MB einseitig bestückt DDR SDRAM („Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory“) ist ein Typ von Random Access Memory (RAM). Verwendet … Deutsch Wikipedia

DDR3 SDRAM — This article is about DDR3 SDRAM. For graphics DDR3, see GDDR3. In computing, DDR3 SDRAM, an abbreviation for double data rate type three synchronous dynamic random access memory, is a modern kind of dynamic random access memory (DRAM) with a… … Wikipedia

DDR3 SDRAM — Mémoire (SDRAM) de type DDR3. Le DDR3 SDRAM, plus généralement connu sous la forme simplifiée DDR3, est un standard de mémoire vive électronique défini par le JEDEC, destiné à être progressivement utilisé dans les ordinateurs personnels… … Wikipédia en Français

SDRAM — Saltar a navegación, búsqueda Memoria SDRAM. Synchronous dynamic random access memory (SDRAM) es la dynamic random access memory (DRAM) que tiene una interfaz sincrónico. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) tiene una… … Wikipedia Español

SDRAM — refers to synchronous dynamic random access memory, a term that is used to describe dynamic random access memory that has a synchronous interface. Traditionally, dynamic random access memory (DRAM) has an asynchronous interface which means that… … Wikipedia

DDR3 — SDRAM Mémoire (SDRAM) de type DDR3. Le DDR3 SDRAM, plus généralement connu sous la forme simplifiée DDR3, est un standard de mémoire vive électronique défini par le JEDEC, destiné à être progressivement utilisé dans les ordinateurs personnels… … Wikipédia en Français

DDR3 — Saltar a navegación, búsqueda DDR3 SDRAM DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM. El principal beneficio de instalar DDR3 … Wikipedia Español

DDR3 — 2 DDR SDRAM Module – oben 512 MB mit sogenanntem „Heatspreader“ und beidseitig bestückt, unten 256 MB einseitig bestückt DDR SDRAM („Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory“) ist ein Typ von Random Access Memory (RAM). Verwendet … Deutsch Wikipedia

SDRAM — типы DRAM памяти FPM RAM EDO RAM Burst EDO RAM SDRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM Rambus RAM QDR SDRAM VRAM WRAM SGRAM GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5 … Википедия

SDRAM — Sigles d’une seule lettre Sigles de deux lettres Sigles de trois lettres Sigles de quatre lettres > Sigles de cinq lettres Sigles de six lettres Sigles de sept… … Wikipédia en Français

Источник

Национальная библиотека им. Н. Э. Баумана
Bauman National Library

Персональные инструменты

DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM (англ. Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущего поколения DDR2 SDRAM, в которой также используется технология «удвоения частоты». [1]

Эффективная частота работы модулей DDR3-памяти составляет от 1066 до 1600 МГц (также выпускаются и более скоростные модули для энтузиастов, работающие на частоте 1800 МГц и выше). Кроме увеличенной пропускной способности, память DDR3 также характеризуется пониженным энергопотреблением (экономия до 40%) по сравнению с памятью DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Это позволяет повысить энергоэкономичность и снизить теплообразование. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (в начале 90-нм, в дальнейшем 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем памяти и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).

Другими нововведениями, реализованными в памяти DDR3, являются технология динамического термини­рования сигналов (dynamic On-Die Termination, ODT) и новая технология калиб­ровки сигналов. Технология ODT позволяет гибко оптимизировать значения терминальных сопротивлений в зависимости от условий загрузки памяти

Таким образом основными преимуществами по сравнению с DDR2 является:

На рис.1 приведена микрофотография кристалла микросхемы памяти DDR3, выполненной по технологии 78 нм на заводе компании Micron, а на рис.2 — ее блок-схема. В табл. 1 приведены характеристики микросхем памяти трех поколений DDR SDRAM.

Таблица 1. Характеристики микросхем памяти

Характеристика	DDR SDRAM	DDR2 SDRAM	DDR3 SDRAM
Частота, МГц	200,266,333,400	400,533,667,800	800,1066,1333,1600
Напряжение, В	2,5+- 0,2	1,8+-0,1	1,5+-0,075
Интерфейс	SSTL_2	SSTL_2	SSTL_15
Синхронизация данных	Single ended	Single ended/ Differential	Differential Default
Длительность импульса, тактов FSB	2, 4, 8	4, 8	4 (Burst Shop), 8 ячейки
Предвыбор	2	4	8
Количество банков	4	4/8	8
Сброс	Нет	Нет	Да
Нагрузка на кристалле	Нет	Да	Да
Калибровка	—	Off-Chip Driver Calibration	Self Calibration with ZQ Pin
Корпус	ТTSOP II	FBGA	FBGA

Содержание

История появления DDR3 на рынке ОЗУ

Модули памяти DDR3 SDRAM появились на рынке в начале третьего квартала 2007 г. одновременно с серийными платами на НМС Intel P35 Express — первыми наборами системной логики, совместимыми с модулями памяти нового поколения. Пропускная способность подсистемы памяти для самых распространенных на тот момент модулей ОЗУ, удовлетворяющих спецификации PC2-6400, составляла 6,4 Гбайт/с. Для DDR3-памяти PC3-8500 эта характеристика была несколько выше — 8,5 Гбайт/с. Применительно к двухканальному режиму работы теоретическая пиковая пропускная способность возросла с 12,8 до 17,1 Гбайт/с для ОЗУ DDR2 и DDR3 соответственно.

Латентность первых DDR3-модулей не позволяла обеспечить преимущество более скоростного ОЗУ над доминирующими на рынке модулями DDR2 SDRAM, массовый выпуск которых с лихвой перекрывал все запросы индустрии. Ситуация усугублялась еще и тем, что цены на новый тип памяти, как это нередко бывает с новыми продуктами, оказались не по карману рядовым пользователям. Не слишком большое преимущество, которое демонстрировали ПК, укомплектованные модулями DDR3-1066 SDRAM, вынудило основных поставщиков компьютерной техники ограничиться малым тиражом DDR3-систем. Иными словами, на первых порах рынок встретил память DDR3 довольно прохладно.

Сложившаяся ситуация сохранялась ровно до тех пор, пока не были анонсированы (а затем и доступны для заказа) DDR3-модули, устойчиво работающие на частоте 1333 МГц и 1666 МГц. Осенью 2007 г. появились первые системные платы на НМС Intel X38 Express. Новый контроллер памяти (в терминах Intel концентратор Memory Controller Hub, микросхема Intel 82X38) обеспечивал взаимодействие платформы с модулями ОЗУ DDR2 и DDR3 SDRAM, оснащенными функцией контроля четности, гарантируя пиковую пропускную способность в двухканальном режиме 21,2 Гбайт/с. Постепенно снижалась до приемлемых значений латентность, однако цена 1 Мбайт памяти еще долго оставалась довольно высокой.

Перелом наступил весной 2008, когда в рамках выставки CeBIT’2008 был официально анонсирован набор системной логики Intel X48 Express. Среди его особенностей были фирменные технологии Intel Fast Memory Access и Intel Flex Memory. Первая увеличивала производительность системы за счет возросшей пропускной способности и сокращения временных задержек на основных операциях доступа к памяти благодаря усовершенствованной архитектуре шинных магистралей контроллера Intel 82X48 MCH. Вторая упрощала модернизацию подсистемы памяти, допуская установку в систему DRAM-модулей различного объема. Разумеется, набор обеспечивал возможность организации двухканального режима работы памяти (пиковая пропускная способность 25,6 Гбайт/c для модулей DDR3-1600 SDRAM) и заполнение до 8 Гбайт адресного пространства ОЗУ, что обуславливало быстрый отклик системы, столь необходимый для 64-разрядных вычислений.

Основные отличия DDR3 SDRAM от DDR2 SDRAM

8n-Prefetch

Принципиальное отличие и главное преимущество памяти DDR3 от DDR2 заключается в ее более высокой частоте работы, которая достигается благодаря реализации ме­ханизма 8n-Prefetch (8-битная предварительная выборки) против 4n-Prefetch в DDR2. Для организации данного режима работы памяти необходимо, чтобы буфер ввода-вывода (мультиплексор) работал на час­тоте, в восемь раз большей по сравнению с частотой ядра памяти. Достигается это следующим образом: ядро памяти, как и прежде, синхронизируется по положи­тельному фронту тактирующих импульсов, а с приходом каждого положительного фронта по восьми независимым линиям в буфер ввода-вывода (мультиплексор) передаются 8п бит информации (выборка 8п бит за такт). Сам буфер ввода-вывода тактируется на учетверенной частоте ядра памяти и синхронизируется как по положительному, так и по отрицательному фронту данной частоты. Это позволяет за каждый такт работы ядра памяти передавать восемь слов на шину данных, то есть в восемь раз повысить пропускную способность памяти.

На рис.3 показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.

Источник

Первый взгляд на DDR3

По материалам наших ежегодных iТогов по десктопной оперативной памяти (см., например, материалы за 2004, 2005 и 2006 год) легко заметить, что наиболее приоритетным направлением развития технологии оперативной памяти DDR SDRAM уже который год подряд является дальнейшее увеличение ее пропускной способности (напрямую зависящей от ее тактовой частоты) и снижение задержек. На втором месте по важности, пожалуй, располагается уменьшение ее энергопотребления и, наконец, увеличение емкости отдельных компонентов (микросхем) и модулей памяти в целом. По-видимому, реализация первого направления считается наиболее важной, в связи с чем происходит практически непрерывно (в рамках одной и той же ступени эволюции технологии — например, плавный переход от DDR2-400 к DDR2-800 и выше), тогда как реализация остальных из перечисленных выше задач, как правило, требует определенного эволюционного скачка в технологическом развитии (например, перехода от технологии DDR к технологии DDR2). Действительно, простое увеличение частоты шины памяти сказывается на ее энергопотреблении явно не положительным образом, поэтому для решения задачи снижения энергопотребления требуются иные подходы. Более того, ситуация, как правило, осложняется тем, что решение этой задачи несколько противоречит «генеральной линии» развития технологий памяти, которая, напомним, заключается в достижении все больших пропускных способностей (частот) и все меньших задержек. И правда, хорошо известно, что первые варианты памяти типа DDR2 ощутимо проигрывали их «равночастотным» аналогам типа DDR по задержкам. Тем не менее, неограниченный рост частот (и снижение задержек) в рамках одной и той же технологии памяти невозможен — он ограничен вполне определенными физическими причинами (прежде всего, тепловыделением), поэтому «эволюционные скачки» в развитии технологий памяти все же необходимы, и обусловлены они не только заботой о меньшем потреблении энергии.

Так обстояло дело при первом эволюционном скачке в развитии технологий памяти DDR SDRAM — переходе от DDR к DDR2. Первые образцы DDR функционировали на частоте всего 100 МГц (и имели рейтинг DDR-200), затем частота постепенно увеличилась до 200 МГц (DDR-400). Происходило одновременное уменьшение задержек — первоначальные схемы таймингов вида 3-3-3-8 сменились весьма низкими схемами вида 2-2-2-5. Затем появились и более высокочастотные модули памяти DDR (вплоть до 300 МГц, т.е. DDR-600), однако официально они так и не были приняты стандартом JEDEC. Увеличение частоты модулей памяти, либо снижение задержек требовало повышения питающего напряжения со стандартного уровня 2.5 В до значений порядка 2.85 В, проблема избыточного тепловыделения решалась, как правило, применением обычных теплоотводов.

Когда дальнейшее увеличение тактовых частот памяти DDR оказалось практически невозможным, на рынке десктопной оперативной памяти появилось новое, второе поколение памяти DDR SDRAM — память DDR2, которая постепенно начала доказывать свою конкурентоспособность и медленно, но верно вытеснять «старое» поколение памяти DDR. Первоначальные варианты DDR2 были представлены частотами 200 МГц (DDR2-400) и 266 МГц (DDR2-533) — так сказать, DDR2 начала свое развитие там, где (официально) закончила свое развитие DDR. Более того, первоначальный стандарт DDR2 предусматривал гораздо более высокочастотные варианты, по сравнению с привычной DDR — 333-МГц модули типа DDR2-667 и 400-МГц вариант DDR2-800. При этом микросхемы DDR2 были основаны на новом технологическом процессе, позволяющем использовать питающее напряжение всего 1.8 В (что явилось одним из факторов снижения их энергопотребления) и достигать более высоких емкостей компонентов и, следовательно, модулей памяти.

Благодаря чему удалось достичь (сначала — в теории, а затем — и на практике) больших тактовых частот (а следовательно, и пропускных способностей) памяти DDR2 при одновременном уменьшении ее энергопотребления, по сравнению с DDR? Были ли при этом у DDR2 только одни преимущества перед DDR, или имелись и недостатки? Чтобы ответить на эти вопросы, позволим себе сделать краткий экскурс в теорию. Для начала, рассмотрим предельно упрощенную схему функционирования памяти типа DDR (рис. 1).

Передача данных от микросхем памяти модуля к контроллеру памяти по внешней шине данных осуществляется по обоим полупериодам синхросигнала (восходящему — «фронту», и нисходящему — «срезу»). В этом и заключается суть технологии «Double Data Rate», именно поэтому «рейтинг», или «эффективная» частота памяти DDR всегда является удвоенной (например, DDR-400 при 200-МГц частоте внешней шины данных). Итак, «эффективная» частота внешней шины данных памяти DDR-400 составляет 400 МГц, тогда как ее истинная частота, или частота буферов ввода-вывода, составляет 200 МГц. В устройствах памяти первого поколения DDR внутренняя частота функционирования микросхем памяти приравнена к истинной частоте внешней шины (частоте буферов ввода-вывода) и составляет 200 МГц для рассматриваемой микросхемы памяти DDR-400. При этом совершенно очевидно, что для того, чтобы передавать по 1 биту данных за такт (по каждой линии данных) по внешней шине с «эффективной» частотой 400 МГц, за один такт внутренней 200-МГц шины данных необходимо передать 2 бита данных. Иными словами, можно сказать, что при прочих равных условиях внутренняя шина данных должна быть вдвое шире по сравнению с внешней шиной данных. Такая схема доступа к данным называется схемой «2n-предвыборки» (2n-prefetch).

Наиболее естественным путем решения проблемы достижения более высоких тактовых частот при переходе от DDR к DDR2 явилось снижение тактовой частоты внутренней шины данных вдвое по отношению к реальной тактовой частоте внешней шины данных (частоте буферов ввода-вывода). Так, в рассматриваемом примере микросхем памяти DDR2-800 (рис. 2) частота буферов ввода-вывода составляет 400 МГц, а «эффективная» частота внешней шины данных — 800 МГц (поскольку сущность технологии Double Data Rate остается в силе — данные по-прежнему передаются как по восходящему, так и по нисходящему полупериоду синхросигнала). При этом частота внутренней шины данных составляет всего 200 МГц, поэтому для передачи 1 бита (по каждой линии данных) за такт внешней шины данных с эффективной частотой 800 МГц на каждом такте 200-МГц внутренней шины данных требуется передача уже 4 бит данных. Иными словами, внутренняя шина данных микросхемы памяти DDR2 должна быть в 4 раза шире по сравнению с ее внешней шиной. Такая схема доступа к данным, реализованная в DDR2, называется схемой «4n-предвыборки» (4n-prefetch). Ее преимущества перед схемой 2n-prefetch, реализованной в DDR, очевидны. С одной стороны, для достижения равной пиковой пропускной способности можно использовать вдвое меньшую внутреннюю частоту микросхем памяти (200 МГц для DDR-400 и всего 100 МГц для DDR2-400, что позволяет значительно снизить энергопотребление). С другой стороны, при равной внутренней частоте функционирования микросхем DDR и DDR2 (200 МГц как для DDR-400, так и DDR2-800) последние будут характеризоваться вдвое большей теоретической пропускной способностью. Но очевидны и недостатки — функционирование микросхем DDR2 на вдвое меньшей частоте (в условиях равенства теоретической пропускной способности устройств DDR и DDR2) и использование более сложной схемы преобразования «4-1» приводит к ощутимому возрастанию задержек, что и наблюдалось на практике в ходе исследования первых образцов модулей памяти DDR2.

Естественно, применение схемы 4n-prefetch — не единственное нововведение в DDR2, однако оно является наиболее значимым отличием от предыдущего поколения памяти DDR, поэтому достаточно для нашего краткого рассмотрения. За более полными подробностями относительно DDR2 мы рекомендуем обратиться к нашей статье «DDR2 — грядущая замена DDR. Теоретические основы и первые результаты низкоуровневого тестирования».

Дальнейшее развитие технологии памяти DDR2 явилось существенно аналогичным развитию ее предыдущего поколения, памяти DDR. А именно, были достигнуты частоты в 333 и 400 МГц (т.е. реализованы официальные стандарты DDR2-667 и DDR2-800). Были значительно снижены задержки, даже официально появилась новая версия стандарта JEDEC (JESD79-2B), допускающая снижение схемы таймингов от 4-4-4 до 3-3-3 — для DDR2-533, от 5-5-5 до 4-4-4 — для DDR2-667, от 6-6-6 до 5-5-5 и даже 4-4-4 — для DDR2-800. Конечно же, следом появились и «нестандартные» разновидности DDR2, по своей частоте выходящие далеко за пределы спецификации JEDEC — вплоть до 625 МГц («DDR2-1250») при схеме таймингов 5-5-5, либо «стандартные» DDR2-800, но с экстремально низкими схемами таймингов вроде 3-3-3. Как и прежде, для достижения таких рекордов потребовалось значительное поднятие питающего напряжения модулей со стандартного уровня 1.8 В до экстремально высоких уровней порядка 2.4 В (что совсем немного уступает стандартному значению предыдущего поколения памяти DDR — 2.5 В). Разумеется, это потребовало применения более «продвинутых» способов отвода тепла от микросхем памяти — как оригинальных, патентованных фирменных конструкций теплоотводов, так и применения внешнего активного охлаждения.

Тем не менее, как и в случае с прошлым поколением памяти DDR, на сегодняшний день предел технологии памяти DDR2 (по частоте, задержкам и значительно возросшему тепловыделению вследствие значительного увеличения питающего напряжения) практически достигнут. Поэтому уже сегодня вполне закономерно ожидать очередной «эволюционный скачок» технологии памяти DDR SDRAM — переход от памяти стандарта DDR2 к новому стандарту DDR3.

Нетрудно догадаться, что основной принцип, лежащий в основе перехода от DDR2 к DDR3, в точности повторяет рассмотренную выше идею, заложенную при переходе от DDR к DDR2. А именно, DDR3 — это «все та же DDR SDRAM», т.е. передача данных по-прежнему осуществляется по обоим полупериодам синхросигнала на удвоенной «эффективной» частоте относительно собственной частоты шины памяти. Только рейтинги производительности выросли в 2 раза, по сравнению с DDR2 — типичными скоростными категориями памяти нового стандарта DDR3 будут являться разновидности от DDR3-800 до DDR3-1600 (а возможно, и выше). Очередное увеличение теоретической пропускной способности компонентов памяти в 2 раза вновь связано со снижением их внутренней частоты функционирования во столько же раз. Поэтому отныне, для достижения темпа передачи данных со скоростью 1 бит/такт по каждой линии внешней шины данных с «эффективной» частотой в 1600 МГц (как в примере, рассмотренном на рис. 3) используемые 200-МГц микросхемы должны передавать по 8 бит данных за каждый «свой» такт. Т.е. ширина внутренней шины данных микросхем памяти окажется уже в 8 раз больше по сравнению с шириной их внешней шины. Очевидно, такая схема передачи данных с рассмотренным преобразованием типа «8-1» будет называться схемой «8n-предвыборки» (8n-prefetch). Преимущества при переходе от DDR2 к DDR3 будут теми же, что и при состоявшемся ранее переходе от DDR к DDR2: с одной стороны, это снижение энергопотребления компонентов в условиях равенства их пиковой пропускной способности (DDR3-800 против DDR2-800), с другой стороны — возможность дальнейшего наращивания тактовой частоты и теоретической пропускной способности при сохранении прежнего уровня «внутренней» частоты компонентов (DDR3-1600 против DDR2-800). Теми же будут и недостатки — дальнейший разрыв между «внутренней» и «внешней» частотой шин компонентов памяти будет приводить к еще большим задержкам. Резонно ожидать, что относительное увеличение последних, при переходе от DDR2 к равночастотной DDR3, будет примерно таким же, как и при переходе от DDR к равночастотной DDR2.

Что ж, перейдем к несколько более детальному рассмотрению нового поколения микросхем и модулей памяти DDR3, грядущих на смену нынешней DDR2.

DDR3: некоторые технические сведения

Стандарт DDR3 на сегодняшний день еще не принят JEDEC, его принятие ожидается ближе к середине текущего года (предположительно, он будет носить имя JESD79-3). Поэтому представленная ниже информация о микросхемах и модулях памяти DDR3 пока что носит предварительный характер.

Перейдем к рассмотрению модулей памяти DDR3. Как и модули памяти DDR2, они выпускаются в виде 240-контактной печатной платы (по 120 контактов с каждой стороны модуля), однако не являются электрически совместимыми с последними, и по этой причине имеют иное расположение «ключа» (см. рис. 5а).

Рис. 5а. Внешний вид типичных модулей памяти DDR3 (сверху) и DDR2 (снизу)

Рис. 5б. Внешний вид типичных разъёмов на системной плате (комбо) для установки модулей памяти DDR3 (голубой/розовый) и DDR2 (зелёный/оранжевый)

Отличительной особенностью схемотехнического дизайна модулей памяти DDR3 является применение «сквозной», или «пролетной» (fly-by) архитектуры передачи адресов и команд, а также сигналов управления и тактовой частоты отдельным микросхемам модуля памяти с применением внешнего терминирования сигналов (резистором, расположенным на модуле памяти). Схематически эта архитектура представлена на рис. 6. Она позволяет добиться увеличения качества передачи сигналов, что необходимо при функционировании компонентов при высоких частотах, типичных для памяти DDR3 и не требуется для компонентов памяти стандарта DDR2.

Различие между способом подачи адресов и команд, сигналов управления и тактовой частоты в модулях памяти DDR2 и DDR3 (на примере модулей, физический банк которых составлен из 8 микросхем разрядностью x8) представлено на рис. 7. В модулях памяти DDR2 подача адресов и команд осуществляется параллельно на все микросхемы модуля, в связи с чем, например, при считывании данных, все восемь 8-битных элементов данных окажутся доступными в один и тот же момент времени (после подачи соответствующих команд и истечения соответствующих задержек) и контроллер памяти сможет одновременно прочитать все 64 бита данных. В то же время, в модулях памяти DDR3 вследствие применения «пролетной» архитектуры подачи адресов и команд каждая из микросхем модуля получает команды и адреса с определенным отставанием относительно предыдущей микросхемы, поэтому элементы данных, соответствующие определенной микросхеме, также окажутся доступными с некоторым отставанием относительно элементов данных, соответствующих предыдущей микросхеме в ряду, составляющем физический банк модуля памяти. В связи с этим, с целью минимизации задержек, в модулях памяти DDR3, по сравнению с модулями DDR2, реализован несколько иной подход ко взаимодействию контроллера памяти с шиной данных модуля памяти. Он называется «регулировкой уровня чтения/записи» (read/write leveling) и позволяет контроллеру памяти использовать определенное смещение по времени при приеме/передачи данных, соответствующее «запаздыванию» поступления адресов и команд (а следовательно, и данных) в определенную микросхему модуля. Этим достигается одновременность считывания (записи) данных из микросхем (в микросхемы) модуля памяти.

В заключение рассмотрим скоростные характеристики предполагаемых спецификаций модулей памяти DDR3, которые представлены в таблице 1.

Табл. 1. Скоростные характеристики модулей памяти DDR3

Тип модулей	Рейтинг	Частота шины, МГц	Типичная схема таймингов	Теоретическая пропускная способность, ГБ/с
				Одно-канальный режим	Двух-канальный режим
DDR3-800	PC3-6400	400	6-6-6-18	6.40	12.80
DDR3-1066	PC3-8500	533	7-7-7-21	8.53	17.07
DDR3-1333	PC3-10667	667	8-8-8-24	10.67	21.33
DDR3-1600	PC3-12800	800	9-9-9-27	12.80	25.60
DDR3-1866	PC3-14900	933	10-10-10-30	14.93	29.87

Предположительно, модули памяти DDR3 будут предлагаться в вариантах от DDR3-800 до DDR3-1600 включительно, далее не исключено появление и более высокоскоростных модулей категории DDR3-1866. Рейтинг производительности модулей памяти DDR3 имеет значение вида «PC3-X», где X означает пропускную способность модуля в одноканальном режиме, выраженную в МБ/с (если быть точным — млн. байт/с). Поскольку модули памяти DDR3 имеют ту же разрядность, что и модули памяти DDR2 — 64 бита, численные значения рейтингов равночастотных модулей памяти DDR2 и DDR3 совпадают (например, PC2-6400 для DDR2-800 и PC3-6400 для DDR3-800).

Типичные схемы таймингов, предполагаемые в настоящее время для модулей памяти DDR3, выглядят весьма «внушительно» (например, 9-9-9 для DDR3-1600), однако не стоит забывать, что столь большие относительные значения таймингов, будучи переведенными в абсолютные значения (в наносекундах), учитывая все меньшее время цикла (обратно пропорциональное частоте шины памяти), становятся вполне приемлемыми. Так, например, задержка сигнала CAS# (t_CL) для модулей памяти DDR3-800 со схемой таймингов 6-6-6 составляет 15 нс, что, конечно, несколько великовато по сравнению с «типичными» DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5, для которых t_CL составляет 12.5 нс. В то же время, память типа DDR3-1600 со схемой таймингов 9-9-9 уже характеризуются величиной задержки t_CL всего 11.25 нс, что находится на уровне DDR2-533 с достаточно низкими задержками (схемой таймингов 3-3-3). Таким образом, даже при предполагаемом на данный момент «раскладе» схем таймингов модулей памяти DDR3 можно ожидать постепенное снижение реально наблюдаемых задержек при доступе в память, вплоть до значений, типичных для нынешнего поколения модулей памяти DDR2. К тому же, не стоит забывать и о дальнейшем снижении задержек (и снижении таймингов) по мере развития технологии.

Конфигурация тестового стенда

DDR3: первые результаты реального тестирования

Перейдем, как говорится, от теории к практике. В распоряжении нашей тестовой лаборатории оказались уникальные предсерийные образцы материнской платы MSI P35 Neo Combo, основанная на новом чипсете Intel P35 и модулей памяти Corsair XMS3-1066 (CM3X1024-1066C7 ES). Материнская плата MSI P35 Neo Combo, как следует из ее названия, представляет собой «комбинированный» вариант, т.е. позволяет устанавливать как модули памяти DDR2, так и DDR3. Заметим, что «комбинирование» модулей памяти в этой материнской плате осуществляется по принципу «либо DDR2, либо DDR3», т.е. одновременное использование модулей памяти DDR2 и DDR3 (как в общем канале, так и для составления разных каналов) невозможно. На настоящее время, вследствие отсутствия официальной спецификации на новые чипсеты Intel, невозможно сказать, является ли это принципиальным ограничением чипсета Intel P35, либо просто особенностью разводки данной платы. Однако весьма вероятно, что имеет место первый вариант — чипсеты Intel, как правило, не отличаются сомнительным экзотическим преимуществом в виде одновременной поддержки разных типов памяти.

Модули памяти CM3X1024-1066C7 ES представляют собой инженерный образец модулей памяти DDR3-1066 со схемой таймингов 7-7-7-21 (в точности совпадающей с предполагаемой схемой для модулей памяти DDR3 данной скоростной категории, приведенной в табл. 1). Для сопоставления скоростных характеристик этих модулей памяти, как представителей нового типа памяти DDR3, со скоростными характеристиками нынешнего поколения модулей памяти DDR2 были выбраны модули памяти Corsair DOMINATOR XMS2-9136C5D примерно равной скоростной категории «DDR2-1142», использованные в режиме DDR2-1066 с номинальной для этих модулей схемой таймингов 5-5-5-15.

Режим функционирования модулей памяти DDR2 и тайминги устанавливались вручную в настройках BIOS материнской платы, питающее напряжение было увеличено до 2.3 В. Заметим, что текущая версия BIOS (V1.0B16 от 20.04.2007) материнской платы MSI P35 Neo Combo не позволяет настроить значения таймингов модулей памяти DDR3 должным образом, по-прежнему предлагая значения основных параметров (t_CL, t_RCD и t_RP) от 3 до 6 включительно, что соответствует таймингам памяти DDR2, но не DDR3. То же касается и питающего напряжения модулей — по-прежнему предлагается выбор от 1.8 В до 2.5 В, тогда как «официальное» питающее напряжение модулей памяти DDR3 составляет всего 1.5 В. В связи с этим, для модулей памяти DDR3 были выбраны «автоматические» настройки «by SPD» при минимальном питающем напряжении 1.8 В, однако сказать что-либо определенное относительно этих настроек (как о реальной поддержки еще не утвержденного стандарта специфических расширений SPD для DDR3, так и о корректной настройке временных параметров контроллера памяти чипсета Intel P35 при использовании DDR3) невозможно. Достаточно сказать лишь главное: используемая нами связка модули памяти DDR3 Corsair XMS3-1066 и материнской платы MSI P35 Neo Combo оказались работоспособной. Так что приступим к рассмотрению результатов наших тестов, выполненных в последней доступной версии тестового пакета RightMark Memory Analyzer 3.72, включающего в себя тест многопоточного доступа к памяти RightMark Multi-Threaded Memory Test 1.0.

Начнем с тестов реальной пропускной способности памяти (ПСП) при «одноядерном» варианте доступа. Как обычно, измерение реальной ПСП проводилось в четырех режимах доступа: «простом» чтении данных (Read), «простой» записи данных (Write), чтении данных с программной предвыборкой при оптимальной дистанции предвыборки, которая для процессора Intel Core 2 Duo в составляет примерно 1024 байта (Read SW PF) и, наконец, записи данных методом прямого сохранения (Write NT). При этом первые два режима доступа позволяют оценить «среднюю» реальную ПСП при операциях чтения и записи, а два последних режима — максимальную реальную ПСП при тех же операциях.

Из приведенной на рис. 8 диаграммы с результатами тестов памяти DDR2-1066 и DDR3-1066 в однопоточном режиме доступа видно, что DDR3 если и уступает равночастотной DDR2, то весьма незначительно: отставание составляет примерно 5-8% и особенно заметно по максимальной реальной ПСП при операциях чтения. При этом и в том, и в другом случае реально наблюдаемые величины ПСП весьма далеки от максимальной теоретической ПСП DDR2/DDR3-1066, которая в двухканальном режиме составляет примерно 17.1 ГБ/с. Впрочем, последнее обстоятельство хорошо объясняется наличием «узкого места» в системе в виде 266-МГц системной шины (1066 МГц Quad-Pumped bus), пиковая пропускная способность которой — всего 8.53 ГБ/с.

Использование двухпоточного варианта доступа к памяти (одновременно с обоих ядер процессора, см. рис. 9) позволяет достичь несколько больших значений ПСП (порядка 8.0 ГБ/с, что ближе к теоретическому пределу ПС системной шины 8.53 ГБ/с), причем в данном случае DDR3-1066 в целом оказывается примерно наравне с DDR2-1066, а в случае максимальной реальной ПСП на чтение даже превосходит последнюю примерно на 2%. Итак, заключаем: что касается реальной пропускной способности, на нынешнем поколении платформ Intel оперативная память нового стандарта DDR3 как минимум не уступает, а в ряде случаев и превосходит равночастотную память стандарта DDR2. А значит, применение «сквозной» архитектуры подачи адресов и команд (fly-by architecture) и компенсирующего ее принципа регулировки уровня чтения/записи (read/write leveling), необходимых для достижения высоких частот функционирования компонентов памяти, оправдывает свое назначение, поскольку как минимум не ухудшает (а возможно, и несколько улучшает) скоростные характеристики подсистемы памяти.

Внимательный читатель вполне может возразить на эти выводы, сделанные на основании тестов памяти исключительно в двухканальном режиме. Действительно, ведь «узким местом» системы в данном случае является не шина памяти (от двух каналов контроллера к каждому из модулей памяти), а системная шина (от процессора к чипсету/контроллеру памяти). Поэтому, быть может, мы просто «не видим» разницу между DDR2 и DDR3 именно по этой причине? Поскольку такое возражение было бы вполне закономерным, мы решили проверить правомерность сделанного нами вывода, исследовав одноканальный режим работы памяти. Конечно, такой режим работы в наши дни представляет лишь чисто теоретический интерес, но именно он позволяет «приравнять» пиковую ПС системной шины и шины памяти, тем самым исключив возможное влияние первой на результаты низкоуровневого тестирования. Соответствующие результаты приведены в таблице 2.

Табл. 2. Реальная пропускная способность памяти DDR2 и DDR3
в одноканальном режиме

Режим доступа	Реальная пропускная способность, ГБ/с
	DDR2-1066	DDR3-1066
Чтение, 1 ядро	6.47	5.80
Запись, 1 ядро	2.42	2.33
Чтение с программной предвыборкой, 1 ядро	6.90	6.34
Запись методом прямого сохранения, 1 ядро	4.88	4.88
Чтение, 2 ядра	6.83	6.89
Запись, 2 ядра	2.17	2.06
Чтение с программной предвыборкой, 2 ядра	6.96	7.10
Запись методом прямого сохранения, 2 ядра	4.83	4.84

Как и следовало ожидать, величины ПСП, как при «одноядерном», так и при «двухъядерном» доступе к памяти в одноканальном режиме ее работы оказываются заметно меньшими по сравнению с соответствующими значениями ПСП при двухканальном режиме работы оперативной памяти. Более того, «одноядерный» вариант доступа показывает несколько большее, но все же не столь существенное отставание DDR3 от DDR2 (4-11%), однако «двухъядерный» доступ в память вновь практически выравнивает показания DDR2 и DDR3 и также позволяет последней выиграть примерно 1-2% у равночастотной DDR2 при операциях чтении данных. Максимальная реальная ПСП как DDR2-1066, так и DDR3-1066 достигает примерно 82-83% от теоретического максимума памяти рассматриваемой скоростной категории, функционирующей в одноканальном режиме, что, на наш взгляд, является весьма неплохим результатом. А сами по себе результаты тестов DDR2 и DDR3 в одноканальном режиме подтверждают правомерность выводов относительно скоростных характеристик памяти DDR3, сделанных нами выше.

Что ж, нам остается оценить задержки при доступе к равночастотной памяти DDR2 и DDR3 (так называемую «латентность памяти»). Конечно, из общих соображений следует ожидать большую их величину для последней (учитывая, хотя бы, большую схему таймингов 7-7-7 против 5-5-5 для DDR2), однако посмотрим, какой окажется разница по задержкам на самом деле. Заметим, что в данном случае мы получили практически идентичный результат как в двухканальном, так и в одноканальном режиме работы памяти, поэтому приведем лишь результаты для двухканального режима, имеющего практический смысл (см. рис. 10).

Итак, задержки при доступе в память типа DDR3-1066, естественно, оказываются выше по сравнению с доступом в память типа DDR2-1066. Относительное увеличение задержек составляет примерно 13% при псевдослучайном доступе и примерно 16% — при истинно случайном доступе. Тем не менее, если учесть, что различие между схемами таймингов 7-7-7-21 и 5-5-5-15 составляет целых 40% (правда, как мы писали выше, в случае DDR3 мы пока не можем сказать ничего определенного относительно реально используемой схемы таймингов), реально наблюдаемое увеличение задержек при переходе от DDR2 к DDR3 выглядит более чем приемлемым.

Заключение

Результаты нашего первого низкоуровневого тестирования инженерных образцов модулей памяти DDR3 в сопоставлении с равночастотными модулями памяти DDR2 в идентичных условиях тестирования позволяют нам заключить, что память нового, еще не принятого окончательно стандарта DDR3 уже на сегодняшний день может оправдывать свое существование. Ее скоростные характеристики как минимум не уступают, а в ряде случаев и несколько превосходят характеристики аналогичных модулей памяти текущего стандарта DDR2. Сравнительно небольшим оказалось и относительное возрастание задержек (13-16%) при переходе от DDR2 к DDR3 при прочих равных условиях. А если учесть, что развитие технологий памяти в основном идет по пути одновременного роста тактовых частот и снижения задержек, будущее поколение DDR3 вполне сможет сократить указанный разрыв, а то и вовсе выигрывать по задержкам у DDR2 (уже сегодня практически прекратившей свое дальнейшее развитие).

В то же время, нельзя не заметить, что пока что новую память DDR3 ждет примерно та же участь, что и нынешнее поколение высокоскоростной DDR2 (DDR2-800 и выше). А именно — серьезное затруднение раскрытия гигантского скоростного потенциала самой оперативной памяти, которая давно перестала быть «узким местом» системы. Так, например, на участвующей в нашем сегодняшнем исследовании платформе Intel Core 2 Duo / Intel P35 приличного раскрытия потенциала памяти DDR2-1066 или DDR3-1066 можно ожидать лишь в одноканальном режиме работы последней (как мы показали, при этом реальная пропускная способность памяти достигает примерно 83% от теоретического максимума), который, согласитесь, не представляет интереса с практической точки зрения. Применение же двухканального режима работы памяти приводит к серьезному ограничению ее ПСП со стороны системной шины, вдвое более узкой по своей пропускной способности. Мы неоднократно упоминали о подобных ограничениях в нашем цикле статей по оперативной памяти (см., например, iТоги за 2006 год), и нам остается надеяться, что производители важнейших компонентов платформы — процессоров и чипсетов — осознают необходимость серьезной модернизации последних для достижения высоких стандартов скорости, диктуемых. технологиями оперативной памяти.

Источник